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测量了不同温度条件下面积为49mm×49mm、厚3.5mm的Si(Li)探测器的I-V特性。Si(Li)-E-1和E-2探测器对^238Pu5.499MeV α粒子的能量分辨率例如为54.4keV和57.09keV。 相似文献
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本文描述采用国产锗单晶制备高分辨率同轴Ge(Li)器的方法。由于某些工艺不断改革和完善,制得了灵敏体积为78cm~3的Ge(Li)探测器,它对~(60)Co 1.332MeV γ射线的能量分辨率FWHM为2.0keV,峰/康比为33.6:1。器件制备工艺具有重复性好和成品率高等特点。 相似文献
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电致冷高分辨率Si(Li)X射线能谱分析仪采用电阻反馈前置放大器,灵敏面积为28mm^2Si(Li)探测器,对^55Fe5.9keVX射线,能量分辨率(FWHM)为700eV左右,对探测器在不同温度下随偏压的变化,致冷功率与温度关系,冷却温度与时间关系进行了研究。 相似文献
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电镜硅锂X—射线能谱仪的制备及修理技术 总被引:2,自引:2,他引:0
第一套电镜X射线探测器已经制成,探测器包括灵敏面积为20mm^2Si(Li)晶体、低温场效应晶体管、光反馈前置放大器、具有7.5μ铍窗的低温装置和7.5升液氮杜瓦瓶。对^55Fe5.9keV射线,能量分辨率为152ev。此外报道TRACOR电镜Si(Li)X射线探测器修理的结果,修理后能量分辨率为148eV,与原来的结果一样。每天正常的液氮消耗量少于1立升。 相似文献
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硅面垒探测器是半导体核辐射探测器中发展较早的一种器件,大多数情况下,采用N-型硅单晶,有些实验室也使用P-型硅单晶制备面垒探测器。因为硅的禁带宽为1.1eV,所以硅探测器的工作温度范围比锗探测器宽,它能在常温下工作,但是在40℃以上工作时,器件的漏电流和噪声随偏压升高而增大,经过70℃以上高温试验,器件往往变坏。美国加州大学劳伦 相似文献
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第一套电镜Si(Li)X射线探测器已经制成,探测器包括灵敏面积为20mm ̄2Si(Li)晶体、低温场效应晶体管、光反馈前置放大器、具有7.5μ铍窗的低温装置和7.5升液氮杜瓦瓶。对 ̄(55)Fe5.9keV射线,能量分辨率为152eV。此外报道TRACOR电镜Si(Li)X射线探测器修理的结果,修理后能量分辨率为148ev,与原来的结果一样。每天正常的液氮消耗量少于1立升。 相似文献
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