全文获取类型
收费全文 | 50篇 |
免费 | 6篇 |
国内免费 | 26篇 |
专业分类
金属工艺 | 2篇 |
机械仪表 | 2篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 42篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 1篇 |
无线电 | 29篇 |
一般工业技术 | 2篇 |
出版年
2023年 | 3篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 2篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 7篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 4篇 |
2005年 | 8篇 |
2004年 | 11篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 2篇 |
2000年 | 2篇 |
1996年 | 1篇 |
排序方式: 共有82条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波长在1565nm附近,边模抑制比大于30dB.当大于阈值且相差大于20mA的两个电流同时加载到两段DFB激光器上时,从Y形波导端输出的光谱具有双模分布,双模频率的差值可以拍频产生微波频段的信号.通过调节两段DFB的注入电流,微波信号的频率可以在13~42GHz之间快速连续调谐.这种基于Y形波导的两段DFB并联的拍频光源比传统的双段级联DFB器件有较好的光学和电学隔离,可以作为光学拍频源的一种新的实现方法. 相似文献
3.
4.
5.
原料大米特性与米饭品质的相关性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
测定了八种原料大米以及其所加工成的米饭的各项特性,探讨原料大米特性与米饭的品质之间的相关性.结果显示:大米直链淀粉含量与米饭的硬度呈极显著正相关,与吸水率呈极显著负相关,与米饭的感官品质呈负相关.大米蛋白质含量与米饭的气味、滋味以及冷饭质地都呈负相关,与米饭色泽、米粒外观、适口性呈正相关.大米垩白度与米粒外观、适口性呈极显著负相关.胶稠度、碱消度与米饭的感官品质都呈正相关,其中与米饭适口性的相关性显著.原料大米特性与米饭品质间存在较显著的相关性,大米直链淀粉含量可以作为评价原料大米特性对米饭品质影响的一个重要的指标. 相似文献
6.
7.
8.
设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波长在1565nm附近,边模抑制比大于30dB.当大于阈值且相差大于20mA的两个电流同时加载到两段DFB激光器上时,从Y形波导端输出的光谱具有双模分布,双模频率的差值可以拍频产生微波频段的信号.通过调节两段DFB的注入电流,微波信号的频率可以在13~42GHz之间快速连续调谐.这种基于Y形波导的两段DFB并联的拍频光源比传统的双段级联DFB器件有较好的光学和电学隔离,可以作为光学拍频源的一种新的实现方法. 相似文献
9.
研制了一种张应变准体In Ga As半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80 m A的注入电流下,器件的3d B光带宽大于85 nm(1 5 2 0~1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1 5 2 5~1 5 6 5 nm )和L带(1 5 70~1 6 1 0 nm ) .最为重要的是,在3d B光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在70~90 m A之间;消光比大于5 0 d B.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景 相似文献
10.
研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器.有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层.这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制.当电流通道为5μm宽时,获得了12.9mA的阈值电流和0.47W/A的斜率效率.与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了31.7%,斜率效率稍微有所提高.低阈值和高效率的特性表明,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制.这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36.1°,而水平方向的是21.6°,表明AlInAs氧化物对侧向光场也有很强的限制能力. 相似文献