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1.
近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析
徐江涛
程耀进
张太民
李敏
师宏立
刘蓓蓓
侯志鹏
刘峰
祝婉娉
《真空电子技术》
2011,(5):58-60
为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。
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