全文获取类型
收费全文 | 774篇 |
免费 | 33篇 |
国内免费 | 22篇 |
专业分类
电工技术 | 63篇 |
综合类 | 44篇 |
化学工业 | 85篇 |
金属工艺 | 43篇 |
机械仪表 | 50篇 |
建筑科学 | 72篇 |
矿业工程 | 83篇 |
能源动力 | 13篇 |
轻工业 | 75篇 |
水利工程 | 23篇 |
石油天然气 | 26篇 |
武器工业 | 13篇 |
无线电 | 72篇 |
一般工业技术 | 61篇 |
冶金工业 | 35篇 |
原子能技术 | 7篇 |
自动化技术 | 64篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 12篇 |
2021年 | 17篇 |
2020年 | 14篇 |
2019年 | 16篇 |
2018年 | 16篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 13篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 42篇 |
2013年 | 41篇 |
2012年 | 52篇 |
2011年 | 53篇 |
2010年 | 25篇 |
2009年 | 25篇 |
2008年 | 13篇 |
2007年 | 32篇 |
2006年 | 19篇 |
2005年 | 46篇 |
2004年 | 53篇 |
2003年 | 27篇 |
2002年 | 17篇 |
2001年 | 17篇 |
2000年 | 15篇 |
1999年 | 26篇 |
1998年 | 21篇 |
1997年 | 24篇 |
1996年 | 15篇 |
1995年 | 14篇 |
1994年 | 12篇 |
1993年 | 15篇 |
1992年 | 13篇 |
1991年 | 19篇 |
1990年 | 16篇 |
1989年 | 15篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
1975年 | 2篇 |
1973年 | 1篇 |
1965年 | 2篇 |
1964年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有829条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
本刊上海消息(2008年11月19日)今天,罗地亚公司在上海为其全球研发(中国)世界级的研发中心举办了盛大的启用典礼。 相似文献
2.
3.
4.
稻瘟病是水稻的重要病害。近年来,由于积极推广抗病品种,对减轻稻瘟病的危害收到了一定成效。但由于水稻品种的抗性容易丧失,病害往往还是猖獗流行。因此,选择高 相似文献
5.
国内外通用型金属封闭开关设备技术动态(一) 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍通用型金属封闭关设备的国内外总本技术水平,目前产品的结构与特点,国内 自行设计和引进技术以及今后产品发展的前景。 相似文献
6.
7.
8.
9.
现有几只电动机电流型节电消声器,出现接触器发生跳跃或不能吸合现象。 由查阅资料知,电流型节电消声器的电路原理如图1所示,当按下起动按钮SB_2时,220V电压经起动降压电阻R1降压,二极管VD1整流,二极管 相似文献
10.
The residual electrically active defects in(4×10~(12)cm~(-2)(30KeV)+5×10~(12)cm~(-2)(130KeV))si-implanted LEC undoped si-GaAs activated by two-step rapid thermal annealing(RTA)LABELED AS 970℃(9S)+750℃(12S)have been investigated with deep level transient spec-troscopy(DLTS).Two electron traps ET_1(E_c-0.53eV,σ_n=2.3×10~(-16)cm~2)and ET_2(E_c-0.81eV,σ_n=9.7×10(-13)cm~2)are detected.Furthermore,the noticeable variations of trap's con-centration and energy level in the forbidden gap with the depth profile of defects induced by ion im-plantation and RTA process have also been observed.The[As_i·V_(As)·As_(Ga)]and[V_(As)·As_i·V_(Ga)·As_(Ga)]are proposed to be the possible atomic configurations of ET_1 and ET_2,respectively to explaintheir RTA behaviors. 相似文献