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采用0.13 μm RF CMOS工艺,设计了一款可应用于EoC收发芯片的三频段上混频器,通过改变接入并联LC负载谐振网络中电容的值,使电路分别工作在1.2 GHz,2 GHz,2.4 GHz频段。在3.3 V电源电压下,1.2 GHz,2 GHz,2.4 GHz频段上,总电流为35.1 mA;单边带(SSB)电压转换增益分别为3.77 dB,4.97 dB,4.78 dB;输出1 dB压缩点分别为-0.22 dBm,0.78 dBm,0.5 dBm;噪声系数分别为5.13 dB,5.76 dB,6.67 dB。通过控制输入跨导级的偏置实现混频器的开启和关断,上混频器的开启时间为200 ns,关断时间小于100 ns。 相似文献
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基于SMIC 0.13 μm RFCMOS工艺,提出了一种可应用于EoC (Ethernet over Cable)芯片接收机的输出阻抗可调(200~500 Ω)的宽带低噪声下混频器,覆盖了接收机系统中1.2~2.4 GHz工作频段。Cadence SpectreRF后仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,该混频器的输入3阶交调点为3.5~5 dBm,转换增益为10~18.2 dB,单边带噪声系数为4.1~5.8 dB,静态电流为20 mA。该电路可在-40 ℃~85 ℃较大温度范围和3~3.6 V电源电压下正常工作。 相似文献
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