具有微观应变纳米晶体铜的HRTEM研究

纳米晶体材料因具有许多不同于常规晶体材料的性能而受到广泛关注。已有研究表明 :纳米晶体材料的性能不仅与其晶粒尺寸有明显的依赖关系 ,而且会因纳米晶粒之间的晶界区结构的不同有非常明显的变化 ,即纳米晶体材料的晶粒及晶界微观结构对其性能产生重要的影响。近期在用Ｘ射线衍射对磁控溅射法制备的纳米晶体Ｃｕ的研究中发现[1] :制备态的纳米晶体Ｃｕ样品中存在着较大微观应变 (0 2 4 % ) ;经 110℃ 30ｍｉｎ退火后 ,样品的晶粒尺寸无明显长大 ,但微观应变明显减小 (0 14 % )。与制备态的纳米晶体Ｃｕ相比 ,退火态样品的热膨胀系数增…     

铜纳米孪晶层在冷轧变形中的结构演变

利用电解沉积技术可制备出纳米结构材料，而在电解沉积出的样品中常常含有高密度的生长孪晶。利用电解沉积技术制备的高纯度、高致密度的块状Cu在室温下冷轧后，延伸率高达5100％，且冷轧过程中无加工硬化效应产生。本文通过JEM-2010高分辨电镜(HRTEM)观察，研究了这种电     

脉冲电流作用下TiAl合金中形成的魏氏体组织

铸态TiAl合金经过脉冲电流处理后,其显微组织由粗大的全片层组织转变成为细小的魏氏体组织,且室温拉伸塑性明显提高.在魏氏体组织中,片层的平均厚度很小,γ/α2相界面和γ/γ真孪晶界面占的比例很高,这种结构特征有利于提高材料的抗蠕变性能.魏氏体组织的形成与脉冲电流处理中的快速升温过程密切相关.     

AZ31镁合金形变扭折带中{10(1)2}孪生行为的电子显微学研究

用透射电子显微镜(TEM)技术研究AZ31镁合金在室温轧制变形时扭折带(kink band)的孪生行为.轧制变形产生的扭折带在持续应力的作用下,内部会发生{10(1)2}孪晶的形核以及长大过程,孪晶在长大过程中严格受限于扭折带界面.随着变形程度增大,孪晶内部也会形成位错墙吸收基面位错,协调塑性变形过程.     

二氧化钒纳米线相变过程中的偏折现象研究

通过真空气相凝聚法制备了单晶二氧化钒纳米线,利用SEM和TEM对纳米线的形貌和结构进行了表征,并确定了其在硅基底上的生长状态。在透射电镜下的原位加热实验中,发现经过可控形核处理的二氧化钒纳米线在相变之后会出现宏观上的偏折现象,经过进一步的实验和计算,发现是由不垂直于纳米线轴向的相界面所诱发的应力不对称导致的偏折。在光学显微镜下受基底束缚的纳米线的原位加热实验也证实了这一观点。     

纳米晶体Ni－P合金晶粒微观结构的研究

采用非晶晶化法制备出晶粒尺寸不同的Ｎｉ－Ｐ合金复相纳米晶体样品。利用Ｘ射线衍射技术分别对样品中Ｎｉ固溶体和Ｎｉ_３Ｐ的晶格参数随晶粒尺寸的变化进行了测试，发现在Ｎｉ固溶体纳米相中Ｐ的固溶浓度增大，约为平衡固溶度的１０－１５倍，形成超过饱和固溶晶格结构；在Ｎｉ_３Ｐ化合物纳米相中空位浓度增加导致晶格畸变发生，而且随晶粒尺寸减小晶格畸变程度增大。     

不同晶粒尺寸Ni—P合金纳米晶体的界面过剩体积研究

用非晶晶化法制备尺寸为１３－１０７ｎｍ的Ｎｉ－Ｐ合金纳米晶体，利用正电子湮没技术研究了尺寸不同的纳米晶体中界面缺陷类型及其分布，发现单位体积界面的缺陷含量随晶粒减小而降低。由精细的密度测量和界面结构特征估算纳米晶体样品中的界面积过剩率随晶粒减小而显著降低，发生致密化现象，这一结果与正电子湮没实验及其它性能测试结果十分吻合。     

TiC陶瓷颗粒增强Al基复合材料中杂质相的观察

通常在材料的制备加工过程中，会引入少量新的杂质无素。这些杂质无素的掺入有时在一定条件和环境下会改变原有材料的物理或化学性能。在微观尺度上鉴定分析它有一定难度。高空间、高能量分辨率的分析电子显微镜的出现为解决这个问题提供了非常有力的手段。本文就是利用透射电子显微镜及所配备的附件，在微观尺度下，从结构和成分方面，来鉴别原位快速凝固法制备的TiC增强Al基复合材料中少量的杂质元素及组态。     

钛基非晶复合材料的微观结构及变形机制研究

利用Bridgman定向凝固技术成功制备了β-Ti增韧的非晶复合材料,并使用XRD、SEM、EBSD、TEM、EDS以及三维组织重构方法对制备的非晶复合材料(BMGCs)的组织结构、相组成比例以及相化学成分进行了系统分析,在此基础之上通过对准拉伸过程SEM、EBSD原位观察和断口形貌TEM分析揭示了在变形过程中晶体相和非晶基体界面的变形协调机制。结果表明,晶体相为枝晶形态,二次枝晶臂为1~3μm,具有很好的连接性,非晶基体和枝晶相的化学成分分别为Ti_(45)Zr_(34.8)Cu_(10.6)V_(9.6)和Ti_(62.4)Zr_(18.4)Cu_(2.6)V_(16.6)(at%),相应体积分数分别为非晶相38%和晶体相62%。在变形过程中晶体相中主要为位错增殖的过程,而非晶基体相形变主要是以多重剪切带的形式进行,在弹性变形阶段,位错在两相界面积累;在塑性变形阶段,主要通过在晶体相密排面{110}面上形成滑移台阶进行两相间应力传递,从而实现大的宏观塑性变形。     

脉冲电流处理后H62黄铜中的局域纳米结构

在高密度单脉冲电流处理的Ｈ６２粗晶黄铜内，首次发现纳米结构的生成，采用电子显微分析方法对其作了不同微观层次的观察和描述、依据用经典热力学计算所得的温升和相图理论，研究了纳米结构的生成机制。