基于双调零电阻嵌套密勒补偿的多级放大器设计

提出了一种采用双调零电阻嵌套密勒补偿的方法,设计了一种具有高增益前馈跨导级的大电容驱动放大器。该放大器在无需严格无源补偿元件匹配要求的情况下,获得了高增益带宽积和大相角裕度,从而增强了设计系统对工艺、电压、温度变化的抗干扰性。该放大器结构简单,可应用于具有轨对轨输入和输出的放大器。给出了一个基于0.35μm CMOS工艺的三级轨-轨AB类放大器的设计实例,测试了放大器的性能。结果表明,在200 kΩ电阻负载与600 pF容性负载并联的条件下,增益带宽积为4.4 MHz,相角裕度为85°,功耗为3.6 mW,总谐波失真THD为0.25%。该放大器适用于高输出驱动器件。     

一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器

提出了一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器(TIA),用于检测SEM成像产生的微弱信号。该TIA采用列线图解法进行设计,采用0.18 μm CMOS工艺进行制作。该TIA集成了一个具有10 pF结电容的光电二极管。该TIA的跨阻增益达107.3 dB,带宽为12.5 MHz,输入参考噪声为3.54×10-12A·Hz-1/2,信噪比为8。     

一种高增益带宽积CMOS跨导运算放大器

提出了一种高增益带宽积CMOS跨导运算放大器,它采用多级前馈补偿结构。该跨导运算放大器采用调零电阻补偿技术,取消了一个非主极点,以提高电路的增益带宽积。电路采用0.18 μm 标准CMOS工艺进行设计,并采用Hspice工具仿真。仿真结果表明,在1.2 V工作电压下,直流增益为71 dB,增益带宽积为1.4 GHz,功耗为2.2 mW。