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1.
信息系统灾难恢复能力评估方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
论文提出了一种信息系统灾难恢复能力评估方法:信息资产分析方法、本地灾难恢复和远程灾难恢复等级的划分方法,并在此基础上,利用AHP层次分析法,构建了一套灾难恢复能力评估指标体系。该方法可以使评估结果具有更好的针对性和全面性。 相似文献
2.
3.
郑宁 《浙江纺织服装职业技术学院学报》2003,2(2):6-7
本文在明确冷暖感、湿冷感、接触湿冷感等概念的基础上,分析了在冬季着装状态下,人体热量、水汽 散失的途径和人体产生冷感的原因。 相似文献
4.
Haiyan Chen Jizhi Dai Yongzhi Liu 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2004,25(5):749-757
The effect of fog and clouds in millimeter communication is discussed, and the attenuation caused by fog and clouds is reviewed. Signal-to-noise ratio (SNR) of image is derived using relating models of fog and clouds attenuation. According to the relation of image quality and its signal-to-noise ratio, the system behavior is forecasted theoretically. It is shown that the signal-to-noise ratio of receiver at certain transmitter power is inverse with radio wave frequency, from about 70dB at 10GHz to 48dB for fog and 49dB for clouds. The image quality of received signal at certain transmitter power is inverse with radio wave frequency, from about 7 grade at 10GHz to 5.27 grade for fog and 5.37 grade for clouds. The above calculated results are consistent with experimental results. 相似文献
5.
本文介绍了Windows环境下基于消息的DDE和基于动态链接库的DDEML的区别,并详细叙述了如何使用DDEML编制Windows应用程序。 相似文献
6.
7.
新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
8.
Cif2000平台下的核磁共振测井解谱方法研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了在Cif2000多井解释平台下的核磁共振解谱方法与编程实现。解谱采用加入平滑因子后在特征矩阵的奇异值分解中截去小的非零奇异值的方法,可以在低信噪比时得到稳定的弛豫谱,在油田实际应用中证明了该方法的有效性。根据该方法在Cif2000平台上编制了完整的解谱处理程序,可以直接用于油田的生产实际。 相似文献
9.
10.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献