首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   63901篇
  免费   5611篇
  国内免费   2883篇
电工技术   3575篇
技术理论   2篇
综合类   4127篇
化学工业   10744篇
金属工艺   3722篇
机械仪表   4082篇
建筑科学   4702篇
矿业工程   2141篇
能源动力   1697篇
轻工业   4004篇
水利工程   1073篇
石油天然气   3948篇
武器工业   525篇
无线电   7705篇
一般工业技术   7773篇
冶金工业   3084篇
原子能技术   637篇
自动化技术   8854篇
  2024年   355篇
  2023年   1132篇
  2022年   1840篇
  2021年   2602篇
  2020年   1976篇
  2019年   1771篇
  2018年   1930篇
  2017年   2119篇
  2016年   1920篇
  2015年   2486篇
  2014年   3033篇
  2013年   3628篇
  2012年   4063篇
  2011年   4462篇
  2010年   3681篇
  2009年   3530篇
  2008年   3400篇
  2007年   3300篇
  2006年   3667篇
  2005年   3042篇
  2004年   2126篇
  2003年   1802篇
  2002年   1597篇
  2001年   1445篇
  2000年   1558篇
  1999年   1711篇
  1998年   1517篇
  1997年   1272篇
  1996年   1151篇
  1995年   958篇
  1994年   837篇
  1993年   571篇
  1992年   427篇
  1991年   367篇
  1990年   261篇
  1989年   212篇
  1988年   184篇
  1987年   121篇
  1986年   97篇
  1985年   59篇
  1984年   30篇
  1983年   20篇
  1982年   28篇
  1981年   18篇
  1980年   21篇
  1979年   10篇
  1978年   7篇
  1977年   5篇
  1976年   14篇
  1975年   9篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
For the first time, we successfully fabricated and demonstrated high performance metal-insulator-metal (MIM) capacitors with HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectric using atomic layer deposition (ALD) technique. Our data indicates that the laminate MIM capacitor can provide high capacitance density of 12.8 fF//spl mu/m/sup 2/ from 10 kHz up to 20 GHz, very low leakage current of 3.2 /spl times/ 10/sup -8/ A/cm/sup 2/ at 3.3 V, small linear voltage coefficient of capacitance of 240 ppm/V together with quadratic one of 1830 ppm/V/sup 2/, temperature coefficient of capacitance of 182 ppm//spl deg/C, and high breakdown field of /spl sim/6 MV/cm as well as promising reliability. As a result, the HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate is a very promising candidate for next generation MIM capacitor for radio frequency and mixed signal integrated circuit applications.  相似文献   
3.
软X射线不仅能引起红细胞表面电荷的变化,同时也能导致淋巴细胞和血小板表面电荷下降,表现为照射后它们的电泳率下降。低剂量范围内,这种电荷的变化是暂时性的,照后4小时降到最低点,24小时后恢复到对照的水平。细胞电泳率的下降与辐射剂量相关。淋巴细胞是一个复杂的细胞群,正常状态下,按细胞在电场中泳动速度的快慢,可分为两个组分:快峰为T细胞,慢峰为B细胞。软X射线照射以后,T和B细胞的电泳率皆减慢,频数分布峰值下降,离散度加大。血小板成分单一,电泳率较一致。 从照射浓集的血小板再加回自身血浆中电泳率的下降较照射血浆再加到血小板中的电泳率下降大得多;受照射的血小板在磷酸缓冲液中电泳率下降较在血浆悬液中严重得多;2000 rad照后,悬浮于血浆中的血小板电泳率能恢复,而悬浮于磷酸缓冲液中则不能恢复,三个方面来看,血浆中可能存在抗辐射因子。超氧化物岐化酶能有效地预防血小板电泳率的下降,从而可阻止血小板的凝聚。  相似文献   
4.
1985年11月在瑞士北部进行了一次以探讨“冷池”条件下的扩散和湍流特征为目的的国际野外大气试验,本文介绍其中的四面体气球示踪实验的结果。一共进行了三次由雷达跟踪的四面体示踪实验,释放了10个四面体球。按多轨迹法和单轨迹法分别估算并比较了其中两次示踪实验得到的水平扩散参数σ_y,探讨了风摆效应的贡献。采用“体源模式”并结合单轨迹法估算了微弱风场不定风向条件下的扩散参数,分析了静风,弱风条件下的水平风向标准差和湍流强度。  相似文献   
5.
从实际出发 探索办学理念   总被引:1,自引:0,他引:1  
从学生、社会、学校、教师和学科诸多方面探索办学理念.提出通过学科、专业、课程、教学方法、考核方式等的改革,培养工商企业所需的有较高素质和发展潜力的人才.  相似文献   
6.
This work was aimed at studying the overall, partial, and local residence time distributions (RTD); overall, partial and local residence revolution distributions (RRD) and overall, partial and local residence volume distributions (RVD) in a co‐rotating twin screw extruder, on the one hand; and establishing the relationships among them, on the other hand. Emphasis was placed on the effects of the type and geometry of mixing elements (a gear block and various types of kneading elements differing in staggering angle) and process parameters on the RTD, RRD and RVD. The overall and partial RTD were directly measured in‐line during the extrusion process and the local ones were calculated by deconvolution based on a statistical theory. The local RTD allowed comparing the mixing performance of mixing elements. Also it was confirmed both experimentally and theoretically that specific throughput, defined as a ratio of throughput (Q) over screw speed (N), controlled all the above three types of residence distributions, be they local, partial or overall. The RRD and RVD do not provide more information on an extrusion process than the corresponding RTD. Rather they are different ways of representing the same phenomena. POLYM. ENG. SCI., 48:19–28, 2008. © 2007 Society of Plastics Engineers  相似文献   
7.
Electromigration reliability of interconnect under bidirectional current stress has been studied in a wide frequency range (mHz to 200 MHz). Experimental results show that the AC lifetime rises with the stress current frequency. The current density exponent and the activation energy of AC lifetime are found to be twice that of DC lifetime. Pure AC current stress failure at extremely high current density is believed to result from thermal migration of metal at hot/cold transition points  相似文献   
8.
9.
针对“资产中心”模式对设备管理系统以及设备编码的要求,设计出松耦合的编码体系,并根据炼油化工企业的特点给出了主要的编码结构。解决了编码层次的固化与设备实际层次结构的多样化之间的矛盾,支持“资产中心”模式下设备管理对信息系统功能的需求。  相似文献   
10.
Ultraviolet (UV) disinfection is becoming increasingly popular as an alternative disinfection technology to chlorination in recent years. In this study, we investigated the photoreactivation of Escherichia coli following medium-pressure (MP) UV disinfection of synthetic water by a bench-scale collimated beam apparatus. The UV doses ranged from 1.6 -19.7 mWs/cm2 and photoreactivation was investigated for 6 hours under fluorescent light. In addition, chloramination was applied after UV disinfection to investigate its ability to control photoreactivation. It was found that photoreactivation occurred for all UV doses tested and the increase in bacteria numbers ranged from 0.04 to 1.35 log10. However, the degree of photoreactivation decreased with increased UV doses. Chloramination experiments revealed that the addition of 0.5 mg/l of monochloramine resulted in suppression of photoreactivation for 1 hour only. An increased monochloramine dose of 1 mg/l was found to prevent photoreactivation for the entire duration of the experiment. The results of this study have shown that photoreactivation occurs even after MP UV disinfection, although it is of a lesser extent at higher UV doses. This study has also established that secondary chloramination can effectively suppress and eliminate photoreactivation with a chloramine dose of 1 mg/l.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号