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为消除初级永磁直线电机无电流传感器控制中的电流跟踪误差,提出一种逆变器非线性补偿的新型无电流传感器控制策略。首先,根据实测电流和估测电流存在唯一对应关系,将正常动子视为参考动子,控制两台动子的估测电流保持相同,进而保证了实测电流的一致性;然后,在估测电流的计算中采用逆变器非线性补偿策略,削弱了估测电流和实测电流唯一对应关系中的误差项;最后,采用仿真实验测试所提容错控制的性能,结果表明,相比于现有控制策略,所提容错控制策略在稳态性能与瞬态性能上均更优,具有更广的工程应用前景。 相似文献
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介绍了纳米级线宽标准样片的用途及其在校准扫描电子显微镜中存在的问题,设计了具有快速循迹结构的线宽标准样片,采用电子束光刻工艺制作了标称宽度为25nm~200nm的线宽样片.以50nm和200nm线宽为例对样片的线宽偏差、线边缘粗糙度、线宽均匀性和稳定性进行了考核.结果表明,标称值50nm~200nm的样片线宽值与设计值... 相似文献
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为了精确控制线宽尺寸参数,研制了一套周期尺寸为100nm~10μm的线距标准样片。首先,依据样片的应用进行了图形设计,分别采用电子束直写和投影光刻技术开发出线距标准样片,并对制备出的样片进行考核,考核参数包括线距尺寸、均匀性、稳定性。并与VLSI同等量值样片的质量参数进行了对比,以周期尺寸为100nm的样片为例进行表征,研制的样片均匀性为1.8nm,稳定性为0.6nm,VLSI的样片的均匀性为1.5nm;并使用CD-SEM对样片进行了定值,整体不确定度为3.9nm~23nm(k=2)。研制的线距样片不仅包括光栅结构,还包括格栅结构,可以对不同的测试设备进行现场校准。 相似文献
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台阶高度是半导体技术中重要的工艺参数,其准确度直接影响器件的整体性能。为了精确控制和表征台阶高度参数,制备了一套8nm~50μm的台阶高度标准进行测量技术研究。首先,通过半导体热氧化工艺、反应离子刻蚀工艺制备台阶标准。其次,基于白光干涉仪评估台阶上下表面平行度、表面粗糙度、均匀性和稳定性四项质量参数。结果表明,台阶上下表面平行度为0.4′~2.7°,标准台阶表面粗糙度为0.46nm~6.5nm,台阶两侧表面粗糙度为0.44nm~0.46nm;均匀性为0.5nm~5.9nm,稳定性为0.2nm~11.2nm。最后,与美国VLSI相同标称高度的台阶标准相比,标称高度50μm的台阶标准表面粗糙度较差,均匀性略好,其余质量参数均相当。 相似文献