用于高速CIS的12-bit紧凑型多列共享并行pipeline-SAR ADC

设计了一款用于高速CMOS图像传感器的多列共享列并行流水线逐次逼近模数转换器。八列像素共享一路pipeline-SAR ADC,从而使得ADC的版图不再局限于二列像素的宽度,可以在16列像素宽度内实现。该模数转换器采用了异步控制逻辑电路来提高转换速度。半增益数模混合单元电路被用于对第一级子ADC的余差信号放大,同时被用于降低对增益数模混合单元电路中运放性能的要求。相关电平位移技术也被用于对余差信号进行更精确的放大。整个pipeline-SAR ADC第一级子ADC精度为6-bit,第二级子ADC为7-bit,两级之间存在1-bit冗余校准,最终实现12-bit精度。输入信号满幅电压为1 V。该8列共享并行处理的pipeline-SAR ADC在0.18 m 1P4M工艺下制造实现,芯片面积为0.204 mm2。仿真结果显示,在采样频率为8.33 Msps,输入信号频率为229.7 kHz时,该ADC的信噪失真比为72.6 dB;在采样频率为8.33 Msps,输入信号频率为4.16 MHz时,该ADC的信噪失真比为71.7 dB。该pipeline-SAR ADC的电源电压为1.8 V,功耗为4.95 mW,功耗品质因子（FoM）为172.5 fJ/conversion-step。由于像素尺寸只有7.5 m,工艺只有四层金属,因此这款12-bit多列共享列并行流水线逐次逼近模数转换器非常适用于高速CMOS图像传感器系统。     

14位20 MS/s CMOS流水线A/D转换器

介绍了一种14位20 MS/s CMOS流水线结构A/D转换器的设计.采用以内建晶体管失配设置阈值电压的差分动态比较器,省去了1.5位流水线结构所需的±0.25 VR两个参考电平;采用折叠增益自举运算放大器,获得了98 dB的增益和900 MHz的单位增益带宽,基本消除了运放有限增益误差的影响;采用冗余编码和数字校正技术,降低了对比较器失调的敏感性,避免了余差电压超限引起的误差.电路采用0.18 μm CMOS工艺,3.3 V电源电压.仿真中,对频率1 MHz、峰值1 V的正弦输入信号的转换结果为:SNDR 85.6 dB,ENOB 13.92位,SFDR 96.3 dB.     

用于高精度∑-△数模转换的多级插值滤波器的设计技术

提出了一种用于20bit ∑-△数模转换器中的内插滤波器的有效实现方法,内插滤波器的过采样率为128.该方法使用多级结构以降低滤波器系数的复杂度和有限字长效应.同时提出了基于系数混合基分解的多相半带滤波器的无乘法器实现方法,它降低了控制逻辑的复杂程度,并大大节省了芯片面积.芯片采用0.13μm CMOS工艺实现,整个插值滤波器面积小于0.63mm2.整个电路系统仅用简单的硬件单元实现,且结构规整,这有利于大规模集成电路制造,并可应用于高精度数据转换电路中.     

一种应用二维梯度容差开关方法的12比特电流型数模转换器

本文提出了一款集成于标准数字CMOS工艺的12比特精度电流型数模转换器。它是基于无校准6+6分段译码型结构设计的。本设计通过将高权重的单位电流管分成16个分布于阵列分离区域的小管,平均化线性梯度误差和平方误差,实现对其有效的抑制。本文还提出了一种新型的静态特性测试方法,芯片的测试结果显示：本转换器的DNL和INL分别为0.42LSB和0.39LSB,在100MHz时钟下达到了12比特分辨率。芯片工作电压为1.8V,其核心面积为0.28平方毫米。     

一种高线性度100 kHz带宽∑△调制器

设计了一个100 kHz信号带宽、80 dB SNDR、3.3 V电源电压的单环三阶∑△调制器.电路采用AB类运放,可在较低静态功耗下实现较高的压摆率.电路采用UMC 0.18μm CMOS工艺制作,版图面积为1.7 mm×1.3 mm.芯片测试结果显示:在12 MHz时钟频率、60倍过采样下,调制器可达到100 kHz信号带宽,75.7 dB SNDR和98 dB SFDR.     

炮位侦察校射雷达系统仿真建模

为了更有效地进行炮位侦察校射雷达的仿真,规范化的建模方法是高质量、高效率开发的技术基础.利用UML面向对象的方法对系统进行需求分析,运用Rational Rose软件对该系统模型进行了可视化软件建模,从功能模块图、用例图、静态模型和动态模型等方面对系统进行了分析,实现了系统开发的规范化和系统化.     

一种高增益宽频带的增益自举运算放大器

设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA).整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆幅.该设计采用UMC 0.18μm CMOS工艺,版图面积为320μm×260μm.仿真结果显示:在1.8 V电源供电5 pF负载下,在各个工艺角及温度变化下增益高于120 dB,增益带宽积(GBW)大于800 MHz,而整个运放消耗16.36 mA的电流,FOM值为306 MHz·pF/mA.     

某运载火箭贮箱法兰密封结构拧紧力矩的量化

文中针对火箭贮箱侧壁法兰结构TIG焊接的变形情况开展有限元分析,建立2A14铝合金贮箱侧壁法兰结构TIG焊接有限元模型,采用双椭球模型模拟马鞍形焊缝的焊接热输入情况,并根据焊接过程温度检测结果及焊缝宏观形貌校核热源模型,重点探究焊接起始位置、焊接顺序对关键部位（焊缝、密封槽）焊接变形的影响。模拟结果表明,焊后变形主要集中在焊缝区域,密封槽变形较小;焊缝与密封槽的焊接变形分布趋势相近,均在B（B'）点出现变形峰值。此外,与改变焊接起点相比,改变焊接顺序对焊接变形的影响更为显著。贮箱侧壁法兰结构焊接顺序优化结果显示,在盖面反向焊（方案四）下,焊接变形分布较为均匀,焊缝和密封槽焊接变形最小。在这种情况下,焊缝最大变形量为1.022 mm,密封槽最大变形量为0.505 mm。

     

降低压缩机一入煤气温度的技改小结

丰喜肥业新绛分公司合成氨装置生产能力为6．5万t／a,合成氨吨氨耗煤为1．403t。由于夏季环境温度升高,虽然压缩机一人的半水煤气已在一次脱硫阶段经过水冷却器降温,但半水煤气温度仍然居高不下,最高时可达30℃以上,     

阳煤丰喜新绛公司增建二甲基亚砜装置项目后技术经济评价

国内二甲基亚砜生产的废水、废气、废酸难以处理.阳煤丰喜集团新绛公司增建二甲基亚砜装置时,充分利用该厂资源优势,通过技术改造,实现了二甲基亚砜的清洁化生产,且使二甲基亚砜项目和该厂其它一些车间形成了有效的循环经济发展链条.