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采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性. 相似文献
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应用DLTS、SIMS和PL技术详细研究MBE生长的PM-HEMT结构中深能级.样品的DLTS谱表明在PM-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱,其能级位置分别位于导带下的0.64eV和0.79eV处.SIMS和PL谱表明深电子陷阱与AlGaAs层里的氧含量和光致发光(PL)响应有直接的联系.它们影响PM-HEMT结构的电性能.应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理,结果表明,在一定条件下,PM-HEMT结构样品里的深电子陷阱能有效地被钝化/消除. 相似文献
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对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当的生长温度 (75 0℃ )提高了样品中 In的含量和 PL 强度。当 / 族比率大约 5 0 0 0时 ,75 0℃生长的样品背景载流子浓度约为 2 .2 1× 10 1 8cm- 3,In含量约为 11.5 4% .其室温 394nm的带边峰 ,半高宽约为 116 me V,束缚能约为 32 .4m e V,可能与束缚激子发光相关 .该样品禁带宽度随温度变化的温度系数 α (d E/ d T)约为 0 .5 6× 10 - 3e V/ K.较高温度 (80 0℃和 90 0℃ )生长的样品 In含量较低 ,PL 强度较弱 ,且在样 相似文献
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应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (~ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类 DX中心引起 相似文献
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对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光(PL)、霍耳(Hall)及扫描电镜(SEM)测量.结果表明:适当的生长温度(750℃)提高了样品中In的含量和PL强度。当Ⅴ/Ⅲ族比率大约5000时,750℃生长的样品背景载流子浓度约为2.21×1018cm-3,In含量约为11.54%.其室温394nm的带边峰,半高宽约为116meV,束缚能约为32.4meV,可能与束缚激子发光相关.该样品禁带宽度随温度变化的温度系数α(dE/dT)约为0.56×10-3eV/K.较高温度(800℃和900℃)生长的样品In含量较低,PL强度较弱,且在样品表面析出了金属In滴. 相似文献
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在沉积肖特基金属之前,对非掺的Al0.45Ga0.55N采用了不同时间的氟基等离子体处理,其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处理的样品相比,经过处理的Al0.45Ga0.55N肖特基二极管在反向-10V的漏电流密度随处理时间的增加而减少,其中处理1min的样品的漏电流密度减少了5个数量级。X射线光电子谱分析证明了处理过的样品表面Ga-F和Al-F键的形成。反向漏电的减少可能是由氟基等离子体处理耗尽了电子和有效钝化了表面态导致的。 相似文献
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应用光致发光(PL)电容--电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究A1掺杂ZnS1-xTex中与A1有关的类DX中心,实验结果表明,ZnS1-xTex中存在与Ⅱ-Ⅴ族半导体DX中心相类似的性质。获得与A1有关的类DX中心光离化能Ei(~1.0eV和2.0eV)和发射势垒Ee(0.21eV和0.39eV),这表明ZnS1-xTex大晶格弛豫的出现是由类DX中心引起。 相似文献
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对经PECVD生长的P-InPMIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质模生长是在特定条件下进行的,分别利用C-V和DLTS技术进行研究。结果表明,结果表明,在介质膜和InP之间的InP之间的InP-侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是不同生长条件的介质膜淀积过程中等离体引进的有关辐照损伤。 相似文献