掺银对TIBaCaCuO系超导体性能的影响

本文研究了掺入适量的银对TlBaCaCuO系超导体超导性能的影响。实验结果表明,当银的掺入量不超过0.3mol时,有利于2223相的形成;在掺入0.3mol银的同时,适当提高组成中Tl或Cu的含量,可以降低烧结温度,并能获得T_(o0)=122K,T_(onset)=136K的TlBaCaCuO系超导体。     

粒级组配工艺制备高磁导率Ni-Cu-Zn铁氧体

介绍了一种采用物理方法降低Ni-Cu-Zn铁氧体材料烧结温度的工艺一粒级组配工艺。通过纳米粉体与微米粉体的合理匹配,使材料的致密化过程加速,有效地降低了材料的烧结温度,并使材料的初始磁导率保持较高值。当纳米粉体含量为10％时,Ni_0.13Cu_0.26Zn_0.64Fe_1.98O₄铁氧体的烧结温度为900℃,初始磁导率达764。     

低温快速烧结软磁铁氧体材料

研究了Bi₂O₃-V₂O₅系复合添加剂对Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结及其磁性能的影响.研究表明,Bi₂O₃-V₂O₅系复合添加剂具有促进晶粒生长的作用,随着添加量的增加,样品断面形貌显示大晶粒增多,X射线衍射分析表明,过多的添加剂引起少量的杂相析出,晶界变宽。然而,适当量的Bi₂O₃-V₂O₅系复合添加剂能使普通Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结温度降至875℃以下,烧结时间缩短为30min,烧结样品的磁导率可达195(10MHz)。     

固相法合成单相Ba2Ti9O20粉体

本文以BaTiO3和TiO2为原材料，采用传统制备工艺，混合后粉料于不同合成温度（800～1150℃）和保温时间（1／60～64h）进行固相合成反应·基于XRD相分析结果，得出合成温度为1000～1150℃、保温时间为4～32h时，反应产物均为单相Ba2Ti9O20粉体．并得出：组成元素Ba和Ti分布均匀性是影响Ba2Ti9O20生成的一个重要工艺因素．     

合成工艺对BiNbO4微波介质陶瓷的影响

本文研究了BiNbO4粉料合成温度及烧结助剂CuO-V2O5添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响．结果表明：合成温度为850℃／2h及合成后加入烧结助剂CuO-V2O5的BiNbO4陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能：在100MHz，εr＝49～52，在3GHz，εr＝44，Q＝2000～2300，τr＝38ppm（-40～25℃）；τr＝±6ppm（25～85℃）．     

低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷的晶相组成与微波介电性能

讨论了低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波介质陶瓷的晶相组成与制备工艺、掺杂离子的关系,结果表明粉体的合成温度对烧结体的晶相构成有很大的影响,进而影响材料的谐振频率温度系数τf,稍高的合成温度有利于提高α-PbO型ZST相的稳定性,使谐振频率温度系数τf由107 ppm/℃降至20.88 ppm/℃.采用Nb5+离子掺杂能更有效地抑制烧结过程中游离氧化物相的析出,当Nb5+达到0.15mol%时,920℃烧结样品的介电常数为25,谐振频率温度系数τf为-2.44 ppm/℃,品质因数Q·f达4868GHz(5GHz).     

掺银对TiBaCaCuO超导体性能的影响

本文研究了掺入适量的对TiBaCaCuO系超导体超导性能的影响。实验结果表明，当银的掺入量不超过0.3mol时，有利于2223相的形成；在掺入0.3mol银的同时，适当提高组成中Ti或Cu的含量，可以降低烧结温度，并能获得Tco=122K，Tonset=136K的TiBaCaCuO系超导体。     

BiNbO4微波介质陶瓷的研究

本文研制V2O5和V2O5－CuO复合添加的BiNbO4微波介质陶瓷．实验结果表明：CuO－V2O5复合添加，比单独加入V2O5能大幅度地降低BiNbO4陶瓷的烧结温度，有效地抑制晶粒异常生长，促使瓷体晶粒尺寸较为均匀和致密，降低高频和微波频率的tanδ值．CuO-V2O5复合添加BiNbO4介质陶瓷，在3GHz频率下，εr＝44；Q＝2000