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利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备Bi/Bi2O3晶格复合热电薄膜,考察了溅射功率对单层Bi薄膜表面粗糙度和热电性能的影响,结果表明,当溅射功率为22W时,薄膜具有最小的表面粗糙度16.3nm,电导率和功率因子分别为2.9×10^4S/m和5.74μV/k^2m,单层Bi薄膜最佳的工作温度为85~105℃。Bi/Bi2O3晶格复合热电薄膜最佳的溅射层数为5层,其电导率和功率因子分别为9.0×10^4S/m和21.0μN/k^2m,分别比单层Bi薄膜提高了2.1倍和2.65倍。 相似文献
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