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采用直流磁控溅射镀膜技术制备了纳米铝颗粒膜,并尝试通过两种方式获得纳米铝的表面等离激元共振吸收峰,一种是先在室温石英基底上沉积纳米铝,再进行真空退火;另一种是在热石英基底上沉积纳米铝。用透射电镜和扫描电子显微镜、X-射线光电子谱、紫外-可见吸收光谱表征了样品的形貌和晶态结构、成份和吸收特性。采用比对的方式,研究了基底温度、沉积时间对两种方法制备的纳米铝表面等离激元共振的影响。结果表明,先沉积纳米铝,再进行真空退火,不能获得表面等离激元共振吸收峰,而在热基底上沉积纳米铝,可以获得明显的表面等离激元共振吸收峰。通过调控沉积时间和沉积温度实现了纳米铝表面等离激元共振峰从紫外光区到可见光区的可控移动。而且,研究发现对于平均厚度大于3 nm的纳米铝薄膜,由于纳米铝氧化具有自限性,其表面等离激元共振特性在空气中稳定且主要取决于纳米铝颗粒的团聚度。本研究对理解纳米铝表面等离激元共振特性及其应用具有指导意义。 相似文献
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为了将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)上的图案等比例的转移到硅基材料上,对基于感应耦合等离子体技术(InductivelyCoupledPlasma,ICP)的si和PMMA的刻蚀速率进行了研究。结合英国牛津仪器公司的ICPl80刻蚀系统,以SF6和O2混合气体为反应气体,研究了在其他参数相同的情况下,不同气体比例对两种材料刻蚀速率的影响,得到刻蚀速率随气体比例变化的曲线,并得出了对于Si和PMMA刻蚀速率相同时的气体比例。实验发现,如果增加反应气体中sR的比重,会加快Si的刻蚀速率而降低PMMA的刻蚀速率,反之,若降低SF6的比重而增加O2的比重,则会相应降低Si的刻蚀速率而增加PMMA的刻蚀速率。据此,通过调节反应气体的比例,实现对Si和PMMA的同速率去除。 相似文献
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