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本基于电子镇流器的工作原理。结合对高功率因数.低谐波电路的研究。异常工作状态保护电路的研究,灯丝预热启动电路的研究及EMI滤波器电路等一系列的研究分析。提出电子镇流器优化设计要点。有利于电子镇流器生产厂家的规范化设计。 相似文献
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利用热压烧结TiH2,Si和C粉获得了致密度大于98%的层状Ti3SiC2陶瓷。利用压痕法,在不同的载荷下测定了材料的维氏硬度, 发现其硬度值随载荷的增加而降低,在最大载荷30kg时,硬度值为4GPa。压痕对角线没有发现径向裂纹的出现。 这归因于多重能量吸收机制——颗粒的层裂、裂纹的扩展、颗粒的变形等。利用三点弯曲法和单边切口梁法测定了材料的强度和韧性分别为270MPa和6.8MPa·m1/2。Ti3SiC2材料的断口表现出明显的层状性质,大颗粒易于发生层裂和穿晶断裂,小颗粒易被拔出。当裂纹沿平行于Ti3SiC2基面的方向扩展造成颗粒的层裂,当裂纹沿垂直于基面的方向扩展时,裂纹穿过颗粒的同时,在颗粒内部发生偏转,使裂纹的扩展路径增加。裂纹的扩展路径类似人们根据仿生结构设计的层状复合材料。裂纹在颗粒内的多次偏转、裂纹钉扎以及颗粒的层裂和拔出等是材料韧性提高的主要原因。此外,在室温下得到的荷载-位移曲线,说明Ti3SiC2材料不象其它陶瓷材料的脆性断裂,而是具有金属一样的塑性。 相似文献
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自韧Si3N4陶瓷的显微结构及其性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
利用热压的方法制得室温断裂韧性和抗弯强度分别为11.2MPa·m ̄(1/2)、823MPa,高温(1350℃)断裂韧性和抗弯强度分别为23.9MPa·m ̄(1/2)、630MPa的自韧Si_3N_4陶瓷。研究了显微结构和力学性能之间的关系。结果表明:玻璃相的含量、β-Si_3N_4的长径比等对性能有重要影响。分析了自韧Si_3N_4陶瓷的增韧机理,通过SEM明显观察到Si_3N_4中存在裂纹偏转、分支和β-Si_3N_4拔出现象。 相似文献
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本文研究了含微量硼元素的18Ni马氏体时效钢细化晶粒的方法并指出:在860℃,1h固溶化后,缓慢冷却(炉冷)的基础上,经冷变形后,在700℃预加热和820℃最终固溶处理,可以获得超细化的奥氏休晶粒。其中,硼元素偏聚到再结晶奥氏体晶界上,阻止晶粒长大,是获得细化晶粒效果的决定因素。 相似文献
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