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王万录 《真空科学与技术学报》1985,(2)
非晶态半导体材料不仅是一种优质的太阳能电池材料,而且是一种很好的半导体器件表面钝化膜材料。用半绝缘性的a-Si:H膜代替Si0_2膜做硅表面钝化膜,能很好的屏蔽外电场和钝化层表面积累的电荷所产生的电场;能有效的阻挡金属钠离子移动。所以可以用来做成MIS,MISS等器件。然而,半缘绝性非晶硅薄膜和其它介质膜一样,与金属有互作用现象。严重时,能引起器件退化。本文就此互作用现象,对Al/a-Si:H/C-Si薄膜系统进行了AES及SEM实验分析,并提出了一些防止的措施。 相似文献
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用化学方法对碳纳米管进行表面处理,用红外谱对处理后的碳纳米管进行表征,处理后的碳纳米管表面出现了活性功能团羧基.用这些碳纳米管制成电极,对Cd离子在硫酸钠中的电化学行为进行了分析.结果表明,从碳纳米管电极上可以观察到很好的、准可逆循环伏安图;在扫描速度为100 mV*s-1时,氧化还原峰电位分别出现在-0.65 V和 -0.95 V 对照饱和甘汞电极(SCE).峰电流与扫描速度的平方根成良好的线性关系,说明反应过程是由镉离子的扩散控制的.由循环伏安图相关的电位与扫描速度关系,我们导出了电子转移动力学速度参数.由于碳纳米管电极有很好的电化学活性和可重复性,它可以成为一种新型的分析电极材料. 相似文献
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本文给出了直流等离子体CVD法合成金刚石膜的实验结果。衬底温度900℃时,在Si(100)上最高生长速率为150μm/h。实验结果表明金刚石膜Raman特征峰随生长时间和晶粒增大移向低波数方向,这主要是膜内应力所致。Raman谱还表明金刚石膜内非晶碳成份随放电电流密度和生长时间增加而减少,并主要集中在晶粒界面之间。文中还对高速率生长金刚石膜的机理及内应力形成的原因进行了讨论。 相似文献
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p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用.近来在这方面的研究取得了一些突出的进展.本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展. 相似文献
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CVD金刚石膜研究进展和应用 总被引:3,自引:0,他引:3
评论国内外化学气相沉积的金刚石膜制备技术,核化和生长,性质表征、异质外延生长及其应用等方面研究的最新进展和应用前景。 相似文献
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单层有机半导体微腔效应的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
制作了DBR/ITO/PPV/A1微腔结构,研究了这种结构PPV发光器件的光致发光和电致发光特性。实验结果表明,由简单地调节夹于两金属电极镜面之间的PPV层厚度可实现微腔效应。 相似文献
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