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采用以碳纤维为碳源的固态源MBE技术,生长了不同厚度的重接碳GaAs以及具有不同表层厚度的δ碳掺杂GaAs,通过Nomarski干涉显微镜和原子力显微镜(AFM)对样品表面形貌的观察,分析了挨碳GaAs的生长过程和各种缺陷的产生,提出碳的掺入导致了GaAs材料的三维岛状生长,促进了各种缺陷的力生。提出了通过改善生长条件减少缺陷的途径。 相似文献
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本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源MBE技术生长了优质碳掺杂GaAs、AlGaAs及δ碳掺杂GaAs外延层。获得了空穴浓度从4×1014cm-3到2×1019cm-3的GaAs材料。用霍尔效应测量仪、电化学CV剖面仪和X射线双晶衍射仪分析了外延层的质量。用Nomarski干涉显微镜和原子力显微镜分析了GaAs的生长过程。结果表明碳是GaAsIIV族化合物半导体的极好的p型掺杂剂。 相似文献
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