用正电子湮没寿命方法研究低温镀铁层的结构和晶粒

低温电镀方法可在工件表面产生高硬度、耐磨的镀铁层,但工作于较高温度时耐磨性和硬度下降。本文研究在不同等时退火和等温退火条件下镀铁层内晶粒度、缺陷变化等情况。 在45号钢上用无刻蚀镀铁工艺产生0.5mm厚的镀铁层,经100～1200℃和10～420分钟的不同退火温度和退火时间热处理,平均寿命τ_m的变化见图1、2。     

用正电子湮没方法研究Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)等非晶合金中空洞

实验所用非晶合金样品是由液态合金轧辊法制备的非晶薄带材,有Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)、Fe_(32)Si_5B_(13)、(Fe_(0.5)Ni_(0.5))_(78)Si_8B_(14)、(Fe_(0.1)Ni_(0.3)Co_(0.55)Mo_(0.05))_(78)Si_8B_(14)等不同成分的非晶合金。各种材料又经过适当的热处理后完成非晶态的晶化过程作为相应的晶化样品。     

正电子和反氢

从正电子出发,综述了近三年多来人们在物质和反氢方面的研究进展。     

用PAT研究顺丁硫化胶在热空气中的结构变化

本文用正电子湮没技术(PAT)研究了陶土填充顺丁硫化胶(BR)在热空气中老化后的结构变化,分析了正电子湮没特性与硫化胶的交联密度、有序性、空穴大小及其分布。链段活动性等微观结构的关系,探讨了材料的玻璃化转变和大分子网构的变化,证明了正电子在顺丁硫化胶中的湮没特性与其表层的自由体积、有序性、T_g转变等有很好的相关性。     

热塑弹性体SEBS中溶剂影响的正电子谱学研究

利用正电子湮没寿命谱方法观察了因三嵌段共聚物(SEBS)浇铸成膜时所使用的溶剂不同给SEBS膜中自由体积的大小和浓度带来的影响,从而看到了由于微相分离结构的存在而对自由体积变化产生的影响。     

a-SiH 热处理过程中纳米硅粒尺寸的控制(英文)

报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳米硅颗粒的大小,随着热退火过程中升温速率的变化而变化。在退火过程中,若非晶硅薄膜升温速率较高(～100℃/s),则所形成纳米硅粒的大小在1.6～15nm;若非晶硅薄膜升温速率较低(～1℃/s),则纳米硅粒大小在23～46nm。根据晶体生长理论,讨论了升温速率的高低与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。     

室温下GaAs中正电子迁移率的测量

用正电子湮没寿命谱方法测量了GaAs中的正电子迁移率,在低电场(小于300Vcm~(-1))和室温294K条件下测得μ_+=880±40cm~2V~(-1)s~(-1)。     

Cu-Zn-Al合金中的马氏体转变

Cu—Zn—Al合金具有形状记忆效应、超弹性和高阻尼本领,其潜在用途与特征性能的某些参量例如正。反马氏体转变温度、在M_3以上给定温度感生马氏体所需的应力以及在任一温度的阻尼本领等的稳定性和“预马氏体转变”相关。因此在形状记忆合金的研究中时效效应问题一直受到重视,而预马氏体转变作为一个新颖的研究领域正引起人们极大的兴趣。     

用CONTIN(PALS2)程序计算正电子湮没寿命谱

对基于Ｌａｐｌａｃｅ变换的大型正电子寿命解谱程序ＣＯＮＴＩＮ（ＰＡＬＳ２）的原理和使用作了简要说明,在实验基础上,对用ＣＯＮＴＩＮ（ＰＡＬＳ２）程序计算的结果进行了分析,并与用ＰＯＳＩＴＲＯＮＦＩＴ程序的结果进行了比较。     

用正电子湮灭研究SmCo_5永磁体室温至740℃的组织变化

SmCo_5永磁合金是一种用途广泛的永磁材料,其居里点约为740℃。为找出材料在400℃以上性能变坏的原因,尝试进行了室温至740℃温度范围内等时(2小时)退火处理的SmCo_5合金的正电子湮灭研究。结果发现,材料中明显地存在着沉淀相的析出。作者认为,至少不能排除这一过程作为影响磁性的重要原因。 正电子平均湮灭率λ_(ap)能反映材料的基体性质。它的倒数称为材料的基体正电子寿命τb,