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1.
在应用程序的用户界面设计过程中,应使设计出来的界面更美观,更吸引人。而MFC提供的框架窗口和各种控件的颜色只有灰色,颜色比较单一,当然,可以在程序中添加代码来改变这些窗口的原有颜色,使设计出来的用户界面更美观。下面将以滚动条为例,介绍如何为没有滚动条的框架窗口添加滚动条,并设置滚动条的颜色。 相似文献
2.
3.
宽禁带功率半导体器件技术 总被引:2,自引:0,他引:2
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
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7.
The anode injection efficiency reduction of 3.3-kV-class non-punch-through insulated-gate bipolar transistors (NPT-IGBTs) due to backside processes is experimentally studied through comparing the forward blocking capabilities of the experiments and the theoretical breakdown model in this paper. Wafer lifetimes are measured by a μ-PCD method, and well designed NPT-IGBTs with a final wafer thickness of 500 μm are fabricated. The test results show higher breakdown voltages than the theoretical breakdown model in which anode injection efficiency reduction is not considered. This indicates that anode injection efficiency reduction must be considered in the breakdown model. Furthermore, the parameters related to anode injection efficiency reduction are estimated according to the experimental data. 相似文献
8.
具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析 总被引:1,自引:0,他引:1
提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响.结果表明MER-LDMOS突破常规LDMOS高压屏蔽的能力,击穿电压较常规LDMOS提高一倍以上;同时,该结构具有工艺简单、工艺容差大、反向泄漏电流小等优点,为高压集成电路中高压屏蔽的问题提供了一种新的解决方案. 相似文献
9.
针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容. 相似文献
10.