UWB天线的宽带化技术及其发展

在现代通信技术中,为了实现通信保密、排除干扰、提高通信效率等,超宽带系统得到了大力发展,然而,在一定程度上却受制于系统中超宽带天线的阻抗带宽。详细介绍了展宽天线阻抗带宽的4种方法,包括渐变阻抗方法、分形几何方法、微带天线开槽方法和非频变结构方法,其中分形几何方法由于其几何结构的自相似性使得其贴片电流分布具有自相似性,从而导致天线的多频点谐振,有效拓展了天线带宽。上述4种天线尽管作用原理互不相同,但在超宽带天线的工程应用中,研究者可将这些方法单独或同时应用于天线结构设计,使得天线既能保持良好的方向性和增益等性能,又能获得较大带宽。     

颐和园大型观演空间的生成——德和园设计过程分析

基于德和园样式雷图档以及圆明园同乐园相关文献档案,结合现状及大修过程中隐蔽部位的详细勘察,再现了德和园的设计过程。分析了方案修改的原因;揭示了样式雷在德和园设计过程中的?"人文主义"环境观。     

不同应力下的InxGa1-xAs薄膜表面形貌

利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分的InGaAs呈现不同的表面形貌。虽然生长的初始表面都是原子级平坦,但是由于晶格常数差异触发不同类型的表面应力,促使In0.14Ga0.86As/GaAs薄膜中台阶边缘平滑扭曲,而在In0.86Ga0.14As/InAs薄膜表面台阶却呈锯齿状;同时,由于不同类型表面应力的作用,低In组分薄膜形成更多的二维(2D)岛。     

聚乙烯吡咯烷酮与十二烷基甜菜碱相互作用的NMR研究

通过~1H NMR化学位移法测定十二烷基甜菜碱(C_(12)BE)与不同浓度的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)混合体系的临界聚集浓度(cac)与聚集饱和浓度(C2)值;通过弛豫时间研究了PVP对C_(12)BE分子运动的影响。结果表明;随PVP的含量增加,cac与C2值增大,C_(12)BE分子运动受限越严重。从而推断PVP与C_(12)BE发生了一定的相互作用导致C_(12)BE的分子运动性发生改变,其主要驱动力为静电效应。     

In0.53Ga0.47As/InP(001)薄膜表面重构的研究

通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53 Ga0.47 As薄膜表面重构进行研究.研究发现在两种As4 BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β2(2×4)以及α2(2×4)三种重构类型.和低As4 BEP条件相比,高As4 BEP条件下反射式高能电子衍射仪图像更加清晰,高分辨率的STM扫描图片也能够分辨出各种重构类型.对高分辨率的STM扫描图像进行进一步分析得到,随着As4 BEP的升高,β2(2×4)重构类型明显减少,这是由于高As4 BEP减少In偏析,从而抑制β2(2×4)重构的产生.