全球战略性矿产勘查投入趋势及对中国的启示

本文从全球层面,国家层面和矿种层面对2000年以来全球矿产勘探投入趋势进行分析,探讨其影响因素。2000—2012年,全球矿产勘查投入主要是依靠资源需求拉动,金融因素起到辅助作用,所以呈现的是全球范围内的矿产勘查投入的增长,主要依靠大宗矿产和贵金属驱动。2020—2022年,金融因素推高矿产品价格,一定程度“繁荣”了勘查市场,矿产资源勘查投入的增长,更多的是以保障发达国家自身供应链安全为主,主要依靠战略性矿产驱动。初级矿业公司勘查投入对矿产品价格的敏感性更高。大型矿业公司除了价格因素外,还会受到全球矿产资源需求周期的影响。疫情以来,发达国家加大了对战略性矿产资源勘查的投入力度,如铜、锂、钴、镍、钼、稀土等。未来大型铜矿公司对全球资源的控制力将进一步增强,钴和锂未来将有一定的产能释放。大型矿业公司仍未深度介入锂矿和钴矿等战略性新兴矿产,对中国矿业公司而言,可以关注初级矿业公司勘查成果,抓住窗口期进行投资并购。     

经向夹衬加强筋机织物及双引纬织造的研究

提出经向夹衬加强筋机织物的结构,介绍其形成原理及方法,并通过实验及讨论,提出双梭口织机引纬、打纬、送经和卷取机构的改造方案。该结构改善了纤维或纱线在织物及其复合材料中的空间分布形态,从而也能加强其物理机械性能,扩大应用领域。     

A hardware software co-design method for control transfer optimization in binary translation system

针对控制转移开销是影响二进制翻译和优化系统性能的主要因素,进行了提高二进制翻译优化系统性能的研究,提出并实现了硬件设计开销较小的基于硬件内容可寻址存储器(CAM)机制的软硬件协同设计方法.通过实验充分分析了CAM大小、软件替换算法对CAM命中率的影响,并根据分析提出了一种新颖的、软硬件结合的降低CAM访问缺失率的方法.该方法相对于传统的软件和硬件优化方法,硬件实现及验证复杂度低且优化效果明显.实验结果表明该方法使得二进制翻译系统整体性能提高了13.44％.该方法已实际应用于龙芯x86二进制翻译系统中.     

Visualizing Thermally Activated Memristive Switching in Percolating Networks of Solution-Processed 2D Semiconductors

Memristive systems present a low-power alternative to silicon-based electronics for neuromorphic and in-memory computation. 2D materials have been increasingly explored for memristive applications due to their novel biomimetic functions, ultrathin geometry for ultimate scaling limits, and potential for fabricating large-area, flexible, and printed neuromorphic devices. While the switching mechanism in memristors based on single 2D nanosheets is similar to conventional oxide memristors, the switching mechanism in nanosheet composite films is complicated by the interplay of multiple physical processes and the inaccessibility of the active area in a two-terminal vertical geometry. Here, the authors report thermally activated memristors fabricated from percolating networks of diverse solution-processed 2D semiconductors including MoS₂, ReS₂, WS₂, and InSe. The mechanisms underlying threshold switching and negative differential resistance are elucidated by designing large-area lateral memristors that allow the direct observation of filament and dendrite formation using in situ spatially resolved optical, chemical, and thermal analyses. The high switching ratios (up to 10³) that are achieved at low fields (≈4 kV cm⁻¹) are explained by thermally assisted electrical discharge that preferentially occurs at the sharp edges of 2D nanosheets. Overall, this work establishes percolating networks of solution-processed 2D semiconductors as a platform for neuromorphic architectures.     

用于增强薄膜电池抗反射的微半球孔阵列研究

为了改善薄膜太阳电池表面抗反射特性,提高其对光的吸收率,在玻璃基体上制备了一种新的微纳抗反射结构,即微半球孔阵列,其周期约为10μm、深度约5μm。测试了微半球孔阵列结构的光学特性,得到这种结构的平均反射率约为1.7%,同平板无结构的玻璃相比,平均反射率降低了约6%。由测试结果可知,微半球孔阵列结构的抗反射性能得到改善,增强了薄膜太阳电池对光的捕获能力。采用紫外光刻、离子束刻蚀与湿法刻蚀相结合的工艺,整个制备工艺较简单,成本低廉,可以实现大面积应用。     

血液过滤用非织造布的发展现状与趋势

介绍了血液过滤滤材的现状与发展趋势,并对其过滤机理和滤材的选取作了初步的论述.     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

低功率刻蚀工艺均匀度研究

在二氧化硅刻蚀工艺中,有时为了控制氧化膜的损伤,需要采用低功率刻蚀工艺。文中研究了在低射频功率条件下,通过改变磁场强度、暖机条件及反应气体的组成,对刻蚀均匀度的影响。实验结果表明,在低功率条件下,改变磁场强度和暖机条件对刻蚀均匀度的改变有限,但当向主刻蚀气体中加入氧气后,能较大程度地改变刻蚀均匀度。     

一种快速以太网卡芯片时钟恢复电路

提出了一种快速以太网卡芯片时钟恢复电路的设计 ,包括体系结构、用于 10 0BASE TX的改进MuellerMuller算法、用于 10 0BASE FX的鉴相器以及产生多相时钟的电荷泵锁相环。该时钟产生电路经过TSMC 0 .35 μm1P5MCMOS工艺验证 ,工作电压为 3.3V。实验结果表明该时钟恢复电路能够满足以太网卡芯片的要求。     

基于图像-点云映射的铆钉平齐度高效检测

铆钉平齐度是铆接质量参数中的一项重要指标,但在实际检测中缺少高效、稳定的检测方法.针对铆钉平齐度的检测,本文提出了一种基于图像-点云映射分割策略的平齐度检测方法.首先,为了快速、稳定地提取图像中的铆钉轮廓,本文提出了一种图像噪声轮廓的分割方法,并基于铆钉轮廓像素的邻域特征,总结出轮廓拐点处的三种邻域特征,据此判断轮廓点...