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孙雪瑜 《核电子学与探测技术》1985,(4)
本文阐述X射线能谱测量用的半导体探测器,对硅与锗X射线探测器进行了比较。扼要介绍了X荧光分析用的探测器的制备方法和性能,分析了影响探测器效率的因素。实际量测了1.5-60keV的X和低能γ射线。对于能量>5keV的X射线,探测效率用~(241)Am源刻度,<5keV时,用玻璃荧光源测量窗吸收及其他效率损失的标准技术。测量结果与文献发表过的数据进行了比较。 相似文献
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本文根据实验结果讨论了原始硅单晶的不同生长气氛、电阻率均匀度、杂质补偿度,载流子寿命、位错、含氧量等对半导体核辐射探测器性能的影响,对于用不同参数的高阻P型和N型硅单晶制成的探测器进行了比较和分析。文中也谈到了对探测器级硅单晶的基本要求和今后展望。 相似文献
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孙雪瑜 《核电子学与探测技术》1985,(6)
本文综述X和γ射线能谱分析用的高纯锗探测器,阐述探测器对原始材料的要求,介绍制备、结构和性能参数,并与硅X射线探测器、锗锂γ射线探测器和碘化钠γ射线闪烁探测器进行了对比。 相似文献
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本文阐述高纯锗材料的各项参数对探测器性能的影响,这些参数是导电类型、晶向、浅能级和深能级杂质、迁移率、位错密度及其分布和平底坑等。文中给出了几种材料制成探测器后测出的结果。提出了试制优质探测器对锗材料的具体要求。 相似文献
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