用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷

传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。     

液晶显示屏的非ODS清洗技术研究

本文对液晶显示器行业ODS物质的三种替代技术进行了分析比较,重点对水基清洗技术进行了研究。通过加入适量的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚醚和脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚醚磷酸酯,得到渗透性较高,乳化率和发泡性适中的水基型液晶清洗剂。     

粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究

在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓（GaO2H）粉末与流动的NH3反应35 min制备出粒状GaN微晶.通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191 nm和0.5192 nm.X射线光电子能谱（XPS）揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1.     

TiO2-V2O5陶瓷的复合特性研究

报道了TiO2-V2O5陶瓷的制备工艺和复合功能特性的研究结果。该陶瓷使用传统的陶瓷工艺制备，并测量了其性能参数。该陶瓷具有复合功能特性，即半导体特性、介电特性和压敏特性。用TiO2—V2O5陶瓷可以制备复合功能陶瓷器件。     

深油井超声探测用的压电陶瓷换能器的研究

超声压电陶瓷换能器可以探测5000m以下深处的地质结构和油井固实程度。用于压电陶瓷换能器的PT－PSN陶瓷性能参数是，Tc=380℃,kt=45%,εr=420,tanδ=1.5%，Qm=2200，Ec=733V/mm。经实验测量和现场试验表明，在温度高达200℃时压电陶瓷换能器的性能稳定，测量精度高。     

用流变学方法研究铝离子存在时阴离子表面活性剂胶束的生长和结构(英文)

表面活性剂溶液的流变行为是影响表面活性剂应用的重要因素之一。用流变学方法 ,通过测定溶液在不同浓度和温度时的剪切粘度和应力研究了铝离子存在时阴离子表面活性剂十二烷基聚氧乙烯 (3)硫酸钠 (AES)胶束的生长和结构。结果表明 ,升高表面活性剂和盐的浓度或降低温度都可以促进胶束的生长 ,并且形成虫状胶束和网络结构 ;溶液的流变行为不符合Maxwell模型 ,表现为非线性粘弹性和非牛顿流体     

Si（111）衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程

采用磁控溅射法在Si（111）衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱（XRD）、X光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。实验结果表明：（1）在900℃氮气气氛中退火，非晶态GaN保持不变；（2）在900℃氨气气氛中退火，虽然非晶态GaN转化为多晶态GaN，但却出现中间相金属Ga；（3）在非晶态GaN向多晶态GaN转化过程中，GaN晶粒将逐渐增大。     

氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究

在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为11;GaN晶粒的形状为棒状.     

Ba1-xSrxPbO3系导电陶瓷及其导电性的研究

利用固相反应法即传统陶瓷工艺，制成了Bal-xSrxPbO3系导电陶瓷。用四探针法测量了此种导电陶瓷的电阻率ρr，研究了ρr与Sr含量x和温度T的关系，通过红外光谱分析研究了此种样品。晶格中出现的氧缺位使得晶格结构发生畸变，Sr-O键出现强烈振动，同时产生了红外吸收谱。在氧缺位中存在弱束缚的导电电子。     

硅氧烷表面活性剂（Ⅳ）（续3）

在涂料生产和加工过程中,作为助剂的硅氧烷表面活性剂,即可作为流动改善剂,润湿剂、防滑剂、防刮痕剂和脱气剂,又在新涂为系列配方中成为不可缺少的助剂、由此,它们要通过改性来适应各种应用的需要。