首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   581881篇
  免费   8648篇
  国内免费   1826篇
电工技术   11315篇
技术理论   1篇
综合类   1344篇
化学工业   92623篇
金属工艺   24342篇
机械仪表   19376篇
建筑科学   13587篇
矿业工程   4598篇
能源动力   14916篇
轻工业   47457篇
水利工程   7275篇
石油天然气   15517篇
武器工业   145篇
无线电   61869篇
一般工业技术   118317篇
冶金工业   97008篇
原子能技术   14825篇
自动化技术   47840篇
  2022年   4432篇
  2021年   6442篇
  2020年   4673篇
  2019年   5781篇
  2018年   9741篇
  2017年   10076篇
  2016年   10403篇
  2015年   6740篇
  2014年   11188篇
  2013年   27158篇
  2012年   16893篇
  2011年   22327篇
  2010年   17980篇
  2009年   19770篇
  2008年   19971篇
  2007年   19555篇
  2006年   17015篇
  2005年   15329篇
  2004年   14416篇
  2003年   14011篇
  2002年   13559篇
  2001年   13139篇
  2000年   12564篇
  1999年   12235篇
  1998年   27999篇
  1997年   20284篇
  1996年   15839篇
  1995年   12151篇
  1994年   10968篇
  1993年   10722篇
  1992年   8387篇
  1991年   8137篇
  1990年   8048篇
  1989年   7806篇
  1988年   7509篇
  1987年   6776篇
  1986年   6556篇
  1985年   7419篇
  1984年   6718篇
  1983年   6452篇
  1982年   5794篇
  1981年   5921篇
  1980年   5653篇
  1979年   5745篇
  1978年   5680篇
  1977年   6198篇
  1976年   7713篇
  1975年   5118篇
  1974年   4903篇
  1973年   4983篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 62 毫秒
1.
Due to the demand of miniaturization and integration for ceramic capacitors in electronic components market, TiO2-based ceramics with colossal permittivity has become a research hotspot in recent years. In this work, we report that Ag+/Nb5+ co-doped (Ag1/4Nb3/4)xTi1−xO2 (ANTOx) ceramics with colossal permittivity over a wide frequency and temperature range were successfully prepared by a traditional solid–state method. Notably, compositions of ANTO0.005 and ANTO0.01 respectively exhibit both low dielectric loss (0.040 and 0.050 at 1 kHz), high dielectric permittivity (9.2 × 103 and 1.6 × 104 at 1 kHz), and good thermal stability, which satisfy the requirements for the temperature range of application of X9R and X8R ceramic capacitors, respectively. The origin of the dielectric behavior was attributed to five dielectric relaxation phenomena, i.e., localized carriers' hopping, electron–pinned defect–dipoles, interfacial polarization, and oxygen vacancies ionization and diffusion, as suggested by dielectric temperature spectra and valence state analysis via XPS; wherein, electron-pinned defect–dipoles and internal barrier layer capacitance are believed to be the main causes for the giant dielectric permittivity in ANTOx ceramics.  相似文献   
2.
3.
4.
Grachev  A. I. 《Semiconductors》2022,56(2):67-70
Semiconductors - In this work, we discuss for the first time the principle of rotation in the constant electric field of a conducting particle with participation of the Lorentz force, which ensures...  相似文献   
5.
Koroteev  A. S. 《Atomic Energy》2021,130(4):202-208
Atomic Energy - The history and direction of further development of space nuclear energetics are examined. The functional diagram and principle of operation of a promising, powerful,...  相似文献   
6.
Journal of Computer and Systems Sciences International - It is shown that the Lyapunov theorem on the distribution properties of the sum of random variables with different distribution densities...  相似文献   
7.
Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
8.
Theoretical Foundations of Chemical Engineering - On the basis of the classic concepts of the theory of solid-phase combustion, for the first time, a model with a detailed scheme of chemical...  相似文献   
9.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
10.
Journal of Chemical Ecology - Biocontrol agents such as parasitic wasps use long-range volatiles and host-associated cues from lower trophic levels to find their hosts. However, this chemical...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号