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一、概述为了密切配合离子注入器件应用研究,在工艺尽可能简单、最好不用热扩工艺的思想指导下,我们选择了全离子注入C_4D结构。它是繁多的电荷耦合器件(简称CCD)结构中的一种,具有结构简单、工艺流程短、充分利用离子注入新技术等优点。国外P沟C_4D是采用注磷形成注入势垒来实现非对称表面势。在我们只能注硼的现实条件 相似文献
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