新颖的双栅高压MOS集成电路

本文分析了高压MOS器件中的负阻效应,描述了负阻击穿机理的物理模型,提出了一种新颖的双栅高压MOS结构,有效地抑制了负阻击穿,从而提高了器件的可靠性.     

双极型晶体管发射区物理参量的测定

本文提出了一种测定双极型晶体管重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的方法.利用电流增益的温度特性,可计算出禁带宽度;通过计算发射区中少子反向饱和电流,可计算出少子复合寿命.考虑到发射区中重掺杂效应,本文采用了费米-狄拉克统计分布.此测定方法简便而实用.     

GaAs MESFET栅取向效应中背栅的作用

根据压电效应模型,本文详细研究了压电电荷对GaAs MESFET沟道与衬底界面耗尽层的影响。认为正压电电荷比负压电电荷所引起的阀值电压漂移大,较好解释了(100)衬底上沿[011]和[011]取向的GaAs MESFET阈值电压非对称反向漂移的现象。     

Raman谱测量PECVD氮化硅/GaAs的应力

<正> 氮化硅薄膜广泛用于离子注入GaAs后退火的覆盖层及器件的钝化层。但由于氮化硅与GaAs热膨胀系数的差别会在氮化硅/GaAs界面存在较大应力。若氮化硅用作退火的覆盖层,这种应力会在GaAs衬底产生缺陷;若用作钝化层,则会引起GaAs MESFET栅的取向效应。因此,测量氮化硅/GaAs界面处的应力很有意义。过去人们常用的机械方法和光学方法仅能测量氮化硅薄膜的应力,而不能确定GaAs表面的应力。Raman谱方法可测量GaAs表面处的应力。本文报道了Raman谱测量氮化硅/GaAs表面应力的结果。     

SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响

本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面ＳｉＯ２钝化膜的作用．ＳｉＯ２膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受ＳｉＯ２膜击穿电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般ＳｉＯ２厚度要小于０．５μｍ．     

薄膜SOI材料MOSFET的高温泄漏电流

在对体硅MOSFET高温泄漏电流研究的基础上,深入研究了SOI材料MOSFET泄漏电流的组成、解析式及高温模拟结果,并与体硅MOSFET进行了比较,证明薄膜SOI材料MOSFET的高温泄漏电流明显减小,因而在高温领域中有着广阔的应用前景。     

薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析

研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。     

采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路

本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。     

短沟道MOST阈值电压温度系数的分析

本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式。根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小．与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可以把短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数作为常数，用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。     

CMOS数字集成电路的高温电学性能分析

本文给出了ＣＭＯＳ倒相器的高温等效电路，分析了它的高温直流传输特性和瞬态特性，文章还讨论了ＣＭＯＳ静态数字集成电路高温电学特性的分析方法。本文提出了的ＣＭＯＳ数字集成电路的高温学特性模型和实验结果相接近。