为进一步推进元宝枫叶与元宝枫花在食品领域的开发应用,本研究以蒸汽、微波、烘烤为加热手段,并分别设置三组时间梯度对元宝枫叶与花处理前后样品中的总酚及主要单体酚类化合物含量进行检测,测定其抗氧化活性变化,并对其成分与活性进行主成分及相关性分析。结果显示,烘烤处理使得元宝枫叶总酚含量显著提升(
|
|||||||
排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
从现有的封帽设备出发,通过一系列的实验,摸索出了一组较好的封帽工艺参数,并建立了一种检测封帽牢固性的有效手段。 相似文献
2.
在Visual Basic2007环境下编制SCPI指令发送命令、通过设备仪器接收程序数据的方法。实现通过RS232串口对Agilent34401A数字万用表进行控制,并接收测量数据的功能,完成自动检测装置的设计。 相似文献
3.
4.
针对运载火箭测试发射数据分散存储且数据利用不充分的问题,提出了以数据仓库技术对火箭的测试发射数据进行组织和存储管理,实现对火箭数据价值的深层次发掘。根据运载火箭数据的特点,提出了数据仓库基础层、源数据层、数据交互层、数据架构层、应用层、显示层六个层次的框架设计;通过面向火箭数据分析和故障诊断的数据清洗规则设计,对不同来源、不同格式的数据进行清洗和加载;对火箭的数据应用方向进行了探索,设计了包络分析、相关性分析、故障诊断等数据分析模块。用某型号火箭测试发射数据进行了验证,结果表明,数据仓库方案切实可行,为后续火箭数据的持续性管理和分析奠定了基础。 相似文献
5.
采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏<111>方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜。通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点的水平。 相似文献
6.
为进一步推进元宝枫叶与元宝枫花在食品领域的开发应用,本研究以蒸汽、微波、烘烤为加热手段,并分别设置三组时间梯度对元宝枫叶与花处理前后样品中的总酚及主要单体酚类化合物含量进行检测,测定其抗氧化活性变化,并对其成分与活性进行主成分及相关性分析。结果显示,烘烤处理使得元宝枫叶总酚含量显著提升( 7.
随着网络的发展,网络设计与编程迅速展开,对个人机器来说在一台机器上进行多种操作系统,多种界面的调试和应用曾一度困扰着人们,本文介绍一种在一台计算机上进行网络调试,网上发布测试的方法。 相似文献
8.
介绍了PC并行端口在单片机、计算机等控制系统中作为数字I/O口的应用。在控制系统中,有许多的数字开关量、数字控制信号、数字信号等,都可以通过计算机并行端口进行采集;并将采集的数字信号经过计算机处理后形成数字控制信号,再从计算机的并行端口输出进行各种自动控制。 相似文献
9.
随着电动汽车快速发展,对动力电池性能的要求日益严苛,电池热管理技术的升级优化变得十分迫切。由于国内缺乏电池系统试验水冷控制策略规范,台架试验与整车试验中的电池系统性能表现差异较大,导致试验结果严重脱节,系统级试验失去了原有的测试验证意义。本文对液冷台架试验方法的实际应用开展研究,通过功率、冷却液比热容、进出水口温差、流量等因素的关联计算,优化了电池系统台架液冷控制方法,使台架试验能够更好地模拟实际整车水冷情况。通过对电池系统进行 -20℃低温快充、-10℃低温快充和 -20℃低温慢充三项试验,验证了该电池系统台架液冷控制方法在低温下的改善效果。相较于传统台架液冷试验方法,采用该液冷控制方法能够使电池系统的温度及电性能更符合实际整车变化,保证了电池系统在系统级试验阶段与整车级试验结果保持一致,实现了电池系统在台架液冷试验的真实性能考核。 相似文献
10.
采用真空热蒸发(VTE)的方法制备了CdS多晶薄膜,研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响。结果显示,不同衬底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向;随着衬底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小,相应薄膜结晶度增大;由CdS薄膜的透射光谱可知,在500~1 000nm波段平均透过率均超过80%,光学带隙随着衬底温度的升高而增大(2.44~2.56eV),表明真空热蒸发方法制备的CdS薄膜可以作为CIGS薄膜太阳电池的缓冲层。将真空热蒸发法制备CdS薄膜与磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳电池相结合,在同一真空室内得到了CIGS薄膜太阳电池器件,为CIGS薄膜太阳电池的工业化推广提供了新途径。 相似文献
1
|
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |