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1.
研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染. 相似文献
2.
以IS0355系列2BD圆锥套圈冷辗扩为例,采用成对闭式辗扩的方式,以达到减小成品宽展和形成良好端面的目的。运用DEFORM软件建立仿真模型进行模拟分析,对圆锥套圈的成对闭式冷辗扩的可行性和优势进行了验证。 相似文献
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6.
采用熔融共混方法制备了热致液晶聚合物(TLCP)/埃洛石纳米管(HNTs)/尼龙66(PA66)原位混杂复合材料,研究了其导热性能、力学性能及微观形态。结果表明:在实验范围内,复合材料的导热性能及力学性能均随着HNTs含量的增加而提高,当HNTs质量分数增至40%时,复合材料的导热系数、热变形温度、拉伸强度、弯曲强度及弯曲模量分别提高了134%、144%、15.3%、31.9%、231%;扫描电子显微镜(SEM)显示,TLCP及HNTs均能在基体中均匀分散,并能观察到TCLP所形成的沿纤维轴方向取向的微纤及HNTs所形成的导热网链。 相似文献
7.
针对两种布置形式(水平布置和对角布置)的串列双方柱,通过同步测压风洞试验,在雷诺数为Re = 8.0×104、间距比为P/B = 1.75 ~ 5.00(其中P为方柱中心间距、B为方柱边长)条件下,得到了两种布置形式串列双方柱的表面风压,重点研究了对角串列双方柱的气动力、风压分布、Strouhal数等气动性能随方柱间距的变化规律,并与水平串列双方柱进行比较。水平串列双方柱的气动力在P/B = 3.00 ~ 3.50时会发生跳跃现象,下游方柱的平均阻力由负值突变为正值,而对角下游方柱平均阻力系数则均为负值。结果表明:当P/B<3.00时,对角串列双方柱的平均和脉动气动力系数、最大平均负压强度和脉动风压系数均大于水平串列双方柱,而当P/B > 3.00时则情况相反;对角串列双方柱的Strouhal数明显小于相同间距下的水平串列双方柱,且在P/B <3.00时对角串列双方柱的升力功率谱出现了多个峰值。 相似文献
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10.
变压吸附装置作为一种较为常见的气体分离提纯装置,通过利用特定吸附剂在不同压力条件下吸附能力的变化,实现对不同气体的分离。由于设备内部压力的不断变化,吸附剂经过长时间运行后,容易出现粉化的情况。介绍了利用袋式除尘器去除变压吸附装置后系统气体中的吸附剂粉尘;解决后系统水冷器堵塞、干气密封损坏、反应器阻力大堵塞等问题;通过去除气体中挟带的粉尘,从而保证了后续生产装置的安全稳定长周期运行。 相似文献