超辐射激光二极管的研究与应用

分析了超辐射激光二极管(Super - Luminescent Diode ,SLD) SLD 管芯的有源区、后端吸收区以及出光端面的增透膜对光谱的影响。介绍了SLD 组件的封装(SLD 的温度控制、SLD 管芯与尾纤的耦合) 。讨论了在干涉型光纤陀螺仪、光时域反射计、医学相干检测技术、波分复用技术中对SLD 的要求。     

1.30μm-MQW-SLD的性能与注入电流和温度的关系

全面测试了峰值波长为1．30μm的InGaAsP／InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW—SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。得到：MQW—SLD显示了软阈值特性。温度不变时,其输出光功率随注入电流的增大而增加;MQW—SLD模块的峰值波长随注入电流的增大而减小;注入电流不变时,其输出光功率随管芯温度的升高而减小;峰值波长随温度升高而增大。SLD模块的3dB带宽随注入电流的增大及管芯温度的升高而变化。注入电流大于阈值电流时,MQW—SLD模块的消光比随注入电流和管芯温度的升高而增大。     

1．55μm-MQW-SLD连续工作状态下的性能

全面地测试并分析了峰值波长约为1．55μm的InGaAsP／InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW—SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。结果表明：在连续工作状态下,此SLD模块显示了软阈值特性,其性能随着注入电流和温度的变化而变化。     

(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.     

一种具有内部调制特性的新型红外探测器

提出了一种内调制红外探测器组件．它可将恒定入射的红外辐射信号转变为交变的电信号输出,而没有通常红外探测系统的调制盘等机械装置,可以简化探测系统,提高可靠性,有利于后级进行交流放大．初步测试表明,在约５μＷ红外辐射功率下,用ＭＣＴ做探测单元的内调制红外探测器组件可输出峰值电压约６５ｍＶ的交流电信号,其比探测率略高于为５×１０９ｃｍ·Ｗ(-１)ｓ(-１／２)。     

超辐射LD与带类球透镜保偏光纤的耦合技术

采用高斯模场近似和模场匹配方法,对超辐射激光二极管与带类球透镜单模熊猫型保 偏光纤的耦合,进行了仿真计算和实验研究。分析了耦合效率与光源激发的光模场、光纤结构及光纤头部形状、耦合工作参数等因素的关系。通过改进耦合技术获得了较高的耦合效率。     

盒里的跳跃

设计单位 文智设计组 项目名称 绿茵阁咖啡厅 项目地址 武汉新世界广场国贸大厦 项目面积 980m^2 竣工日期 2007．7 主要材料水泥、欧松板、灰镜、涂料、火山岩板[第一段]     

氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展

氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能，可应用于超大规模集成电路中，因而引起人们广泛的研究兴趣。简单地综述了国内外有关nc-Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件等方面的研究工作。     

内调制光电探测器线性补偿及温度补偿的高精度方法

介绍了一种民宽内调制光电探测器线性范围及改善其温度特性的高精度方法。该方法可大大提高内调制光电探测器的线性及温度特性,且避免了常规硬件补偿的弊端。对于其他类型的传感器,只要其重复精度足够高,该技术具有普遍意义。     

p+-n--n+-type power diode with crystalline/nanocrystalline Si mosaic electrodes

Using p⁺-type crystalline Si with n⁺-type nanocrystalline Si (nc-Si) and n⁺-type crystalline Si with p⁺-type nc-Si mosaic structures as electrodes, a type of power diode was prepared with epitaxial technique and plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method. Firstly, the basic p⁺-n^--n⁺-type Si diode was fabricated by epitaxially growing p⁺- and n⁺-type layers on two sides of a lightly doped n^--type Si wafer respectively. Secondly, heavily phosphorus-doped Si film was deposited with PECVD on the lithography mask etched p⁺-type Si side of the basic device to form a component with mosaic anode. Thirdly, heavily boron-doped Si film was deposited on the etched n⁺-type Si side of the second device to form a diode with mosaic anode and mosaic cathode. The images of high resolution transmission electronic microscope and patterns of X-ray diffraction reveal nanocrystallization in the phosphorus- and boron-deposited films. Electrical measurements such as capacitance-voltage relation, current-voltage feature and reverse recovery waveform were carried out to clarify the performance of prepared devices. The important roles of (n^-)Si/(p⁺)nc-Si and (n^-)Si/(n⁺)nc-Si junctions in the static and dynamic conduction processes in operating diodes were investigated. The performance of mosaic devices was compared to that of a basic one.