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1.
2.
利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有390nm和420 nm的双峰发光特性,局域阴极发光(CL)测试表明390 nm附近的发光峰来源于半极性面上的量子阱发光,而420 nm左右的发光峰源于c面量子阱发光。c面量子阱发光相对于斜面量子阱发光发生显著红移是因为在选择性横向外延生长过程中,In组分相比Ga较易从掩模区域向窗口中心区域迁移,形成了中心高In组分的c面量子阱,而半极性面上InGaN/GaN多量子阱量子限制斯塔克效应相比于极性面会减弱,此外,相同生长条件下半极性面的生长速率低于极性c面的生长速率。 相似文献
3.
乙酸的光谱学及其特性的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
采用光栅光谱仪获得了波长为 2 5 4nm(Δλ1 /2 4nm)的紫外光激励乙酸溶液的紫外吸收光谱和不同浓度溶液的荧光光谱 ,并对其产生机理和谱线特性进行了研究。实验结果和理论分析表明 ,波长为 2 5 4nm的紫外光诱导乙酸分子发出的荧光是由乙酸分子上的荧光团 -C =O -产生的 ,其量子转换效率可达 5 0 %以上 ;乙酸溶液的荧光量子产额将随浓度发生明显的变化。研究乙酸的紫外光谱和荧光光谱及其特性可为其作为溶剂和催化剂时对其他有机大分子光谱特性的影响提供参考 相似文献
4.
熔石英玻璃激光损伤的三维应力场研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了研究CO2激光损伤后熔石英玻璃内部的三维应力场分布,采用脉冲CO2激光与熔石英玻璃相互作用的有限元数值模型,计算了脉冲激光停止时熔石英玻璃内部的温度分布,并研究了材料冷却后的内部三维应力分布和表面初始损伤形貌,计算结果与实验结果吻合。以该模型为基础,详细分析了径向和环向应力的三维分布,结果表明,在损伤凹坑附近,径向应力表现为压应力,且在凹坑底部附近取得最大值后,径向应力沿深度方向逐渐转化为拉应力;损伤凹坑附近的环向应力与径向应力相似,均表现为压应力,但压应力沿径向逐渐转化为拉应力,不同深度处的环向应力沿轴向增至最大后逐渐减小。另外,脉冲激光能量的增大导致径向应力与环向应力及其影响范围均有明显增加。研究结果有助于分析激光损伤熔石英玻璃内部的三维应力场,为CO2激光修复工艺的改进提供了理论依据。 相似文献
5.
可见波段Ar+激光诱导血红蛋白荧光光谱特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用可见波段、不同波长的Ar^ 激光激发同一浓度血红蛋白溶液产生荧光光谱的研究结果表明,血红蛋白在628nm附近存在一个较强的荧光谱峰,且随激励激光波长的红移其相对光强依次增大,从而解释了临床上用He-Ne激光治疗疗效显著的物理机理。理论研究结果认为该血红蛋白的荧光光谱主要是血红蛋白中存在的卟啉类荧光团的贡献。还利用475.6nm的激光分别激发浓度为1%~7%的血红蛋白溶液,根据所获得的荧光光谱发现,其谱峰位置几乎不随样品浓度的改变而改变,该结果显示了激光与普通光对生物大分子存在明显不同的作用特性。 相似文献
6.
近年来,GaN基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.但由于普通玻璃较低的软化温度(500~ 600℃)以及与GaN之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展.重点综述了玻璃衬底上生长GaN薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术.分别介绍了两种在普通玻璃上生长GaN的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长(ELO)技术对外延GaN晶体质量的影响.对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展. 相似文献
7.
8.
9.
10.
通过岩心、测井、铸体薄片、扫描电镜等相关资料,对马岭油田延长组长8储层特征及影响因素进行研究结果表明:马岭油田长8储集岩主要为岩屑长石砂岩和长石岩屑砂岩,成分成熟度低;储层孔隙类型多样,以粒间孔、长石溶孔为最主要的储集空间;物性特征为典型的低孔低渗储层;储层性质明显受沉积相和成岩作用的综合影响,其中,沉积厚度大、粒度较粗的水下分流河道砂体的储集物性最优,其次为河口坝,三角洲内前缘席状砂最差;成岩作用对储层物性有明显的控制作用,压实作用、胶结作用导致储层物性变差,溶蚀作用使储层物性得到较好的改善。 相似文献