排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 7 毫秒
1.
2.
加强部队装备保障训练是新形势下提高部队保障能力的基本途径。近几年.随着我军武器装备的不断发展和新的训练大纲的颁布实施,认真研究部队装备保障训练的特点、要求与体系,对于提高装备保障训练质量,促进装备保障能力的提高,具有重要的意义。 相似文献
3.
采用氧化亚铜(Cu_2O)陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu_2O(Cu_2O∶N)薄膜,并在N_2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N_2流量和退火温度对Cu_2O∶N薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光电性能的影响。结果显示,在衬底温度300℃、N_2流量12sccm条件下生长的薄膜为纯相Cu_2O薄膜;在N_2气氛下对预沉积薄膜进行快速热退火处理不影响薄膜的物相结构,薄膜的结晶质量随退火温度(450℃)的升高而显著改善;快速热退火处理能改善薄膜的结晶质量和缺陷,降低光生载流子的散射,增强载流子的传输,预沉积Cu_2O∶N薄膜经400℃退火处理后展示出较好的电性能,薄膜的霍尔迁移率(μ)为27.8cm~2·V~(-1)·s~(-1)、电阻率(ρ)为2.47×10~3Ω·cm。研究表明低温溅射沉积和快速热退火处理能有效改善Cu_2O∶N薄膜的光电性能。 相似文献
4.
基于FPGA的ZBT SRAM接口控制器的设计 总被引:4,自引:0,他引:4
Zero Bus Turnaround(ZBT)SRAM是一种高速存储器,根据其操作接口的时序要求,本文介绍了一种基于Altera Stratix和Stratix GX FPGA的ZBTSRAM接口控制器,在文中详细介绍了ZBT SRAM的接口时序和fTPGA接口控制器的结构以及对ZBT SRAM的读写操作过程。 相似文献
5.
6.
An over-modulation based vector control strategy for interior permanent magnet synchronous machine (IPMSM) is proposed and investigated. The strategy increases the reference flux weakening voltage to improve efficiency in flux weakening region of IPMSM with the same dynamic torque response performance in standard SVM technique. The relationship between dynamic torque performance and the reference flux weakening voltage is also discussed. In order to achieve fast and smooth shift process, the torque response must be less than 20.ms in the parallel hybrid electric vehicle (HEV), according to this, modeling and experimental studies were carried out. The results show that the proposed strategy can achieve the same dynamic and steady state torque performance with higher reference flux weakening voltage, which means higher efficiency. 相似文献
7.
8.
生活必须经过记忆的酿造,才能进入作家的创作.作家的记忆具备形象性、片面性和情感性的特征.灵感来自作家新旧记忆的撞击.灵感是新旧记忆撞击的火花. 相似文献
9.
基于FPGA的CSD编码乘法器 总被引:1,自引:1,他引:1
在数字滤波、离散傅里叶变换等数字信号处理中,乘法运算是一个最基本的运算,乘法运算的速度决定着数字系统的运算速度。本文通过理论与实验研究相结合的方法介绍CSD编码乘法器的运算法则及其在FPGA中的实现过程。通过与二进制乘法器相比较,证明CSD编码乘法器在减少对FPGA资源的占用和提高运算速度方面具有明显的效果。 相似文献
10.