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1.
采用溶剂热法制备了硅基介孔分子筛材料,较系统地考察了晶化温度、晶化时间及焙烧温度等因素对其结构的影响,并利用N2吸附手段进行了表征.结果表明,晶化温度和晶化时间能明显影响硅基介孔材料的结构,而过高的焙烧温度易导致介孔结构的塌陷. 相似文献
2.
3.
4.
5.
Flocculation morphology is a new concept that investigates the morphological characteristics of colloidal particles and coagulants in water during the flocculation process, and the influence that these characteristics have on flocculation process efficiency. This paper is a summary of advances in research on this topic over several years. Morphological characteristics of colloids in natural waters and different kinds of hydrolysed coagulants are investigated, and their effect on colloid stability, flocculation kinetics and efficiency is analysed. It is confirmed that the traditional theory has some deviations in coagulation of nonspherical particles, and these deviations are revised by the flocculation morphology model. Flocculation morphology can not only promote research about flocculation theory, but also instruct the production, application and flocculation control. It can be foreseen that more progress will be made in research and application of flocculation morphology in the near future. 相似文献
6.
This letter presents some further results on the local stability in equilibrium for Internet congestion control algorithm proposed by Low et al., (IEEE/ACM Transactions on Networking, 1999). The propagation delay d(t) is assumed to be time-varying and have maximum and minimum delay bounds (i.e., d/sub m//spl les/d(t)/spl les/d/sub M/), which is more general than the assumption (0相似文献
7.
研究了用固体润滑石墨、碳化硅、二硫化钼等填料改性的聚苯硫醚 (PPS)涂层的耐磨性能。实验结果表明 ,聚苯硫醚复合涂层具有优良的耐磨性 ;加入适量 ( 3 0 % )的石墨、碳化硅等固体润滑剂 (石墨 :碳化硅 =2∶3 ) ,可以有效提高涂层的耐磨性能 ,而二硫化钼和三氧化二铬的减摩效果更佳 相似文献
8.
官泓 《有色冶金设计与研究》2003,24(3):49-51
阐述水厂设计中对水厂规模、水源地、净水厂位置及净水工艺的确定过程,根据原水的特点,通过分析对无阀滤池进行改良。 相似文献
9.
通过测试比较,分析了酶制剂练、高温皂碱练由精练方法不同而造成纤维在微观、外观、机械、吸湿及电学等方面的异同点。提出酶制剂练对提高纤维梳折、提高成纱品质、提高劳动生产率、降低工人劳动强度等方面均优于高温皂碱练,是精练工程改造方向之一。 相似文献
10.
Guan L. Christou A. Halkias G. Barbe D.F. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(4):612-617
A model for the calculation of the current-voltage characteristics of strained In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs on InP substrate High Electron Mobility Transistors (HEMT's), based on a variational charge control model, is presented. A polynomial fit of the two-dimensional electron gas (2DEG) density is used for the calculation of the current-voltage characteristics. The effect of strain is introduced into the 2DEG density versus gate voltage relation. Very good agreement between the calculated and measured I-V characteristics was obtained. In addition, our results show that, for an indium mole fraction of the InxGa1-xAs channel in the range 0.53-0.60, increasing the indium mole fraction lowers the threshold voltage and hence increases the drain current at the same gate bias 相似文献