低品位锰矿泥联合分选工艺的应用

本文介绍低品位锰矿泥联合分选工艺的试验室研究结果和应用实践经验.高梯度磁选、泡沫浮选、振动浮选等方法的使用,使得低品位矿石的分选有了新的可能,能从含锰8~11%的矿泥中,产出含锰最高达40~42%的成品精矿.     

F-X反褶积和复维纳预测滤波

Canales(1984)论证了一步向前复预测滤波,这种滤波用于压制叠加地震数据中的随机噪音。在改善剖面质量方面,Canales 出示的实例表明:其结果与叠后相干滤波是等效的,但它可能没有通常的不良效应,诸如损失频率成份、横向混波、模糊了交叉断层等。在参考 Treitel(1974)的复维纳滤波文章前,Canales 描述的实行方法是不明确的。本文则描     

废水源中污染物的分析鉴定和处理条件对CTMP废水生物降解的影响

本研究分析鉴定了一家制浆造纸厂内十七种不同来源的废水中所含之污染物。结果显示:CTMP洗浆废水中BOD_5、COD、树脂酸和脂肪酸(二者简称RFA)以及其它污染物成份的含量和负荷都远远高过其它十六种废水。研究结果还表明:pH值、温度低于40℃时和溶解氧的含量对BOD_5和RFA的除去无明显影响,但对COD的除去则产生显著影响。经短时间处理后,这种废水中的BOD_5、RFA和COD分别除去约94％、96％和68％,并且污泥沉降良好。采用两天的处理时间,可以除去几乎98％的BOD_5和RFA以及80％的COD。     

一种新的亚微米制造技术

已经研制成功一种制作亚微米线宽和器件的新技术。此技术不需要电子束或其它外加的刻蚀技术,而只用常规光刻法和一次边缘选择镀工序。在此工序中,把金属镀到已刻图案的金属层的边缘上。然后,此已镀边缘作为下步等离子腐蚀的掩模,以腐蚀其下层的导体或介质。此技术作出的线宽小至0.04微米,并能用来制造多种微波器件。特别是已用它来制作栅长为0.1微米的镀金铬栅 GaAsMESFET。此法所得 GaAsMESFET 的性能,比得上用比较复杂和花费大的制作栅图案技术制造出来的器件。譬如,在离子注入的 GaAs 上制作的5微米源-漏间距,0.3微米栅长和250微米栅宽的 MESFET,12千兆赫下最大可用增益超过10分贝。