新型染色代用碱TS的制备及应用

制备了新型染色代用碱TS，并将其用于棉织物活性染料固色中。探讨了在合成代用碱中的碱剂、缓冲剂与添加剂的比例，研究染浴中代用碱TS的用量对染色效果的影响，确定代用碱TS的固色工艺条件为用量1．6g／L，60℃固色60min。通过与其它固色代用碱的染色性能进行比较，证明其各项染色牢度与国内新型碱剂相当，接近于传统固色碱。     

核电站环形起重机抗震反钩与牛腿干涉的分析及解决方案

针对某在建核电站出现的反应堆厂房环形起重机抗震反钩与牛腿干涉问题,对问题原因进行详细分析,给出合适的解决方法,并对后续机组如何避免干涉问题提出了切实可行的改进方方案。     

活性染料“染色—整理”一步法工艺探讨

对棉织物用活性染料“染色-整理”一步法工艺进行了研究。通过对染料品种、整理剂用量、催化剂种类及用量、加工温度及时间等工艺参数的研究，认为用活性染料对棉织物进行一步法处理是可行的，经处理后不但织物可达到抗皱的水平，固色率有所提高，并且可以缩短工艺流程，减少能耗。     

AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器

研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器.有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层.这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制.当电流通道为5μm宽时,获得了12.9mA的阈值电流和0.47W/A的斜率效率.与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了31.7%,斜率效率稍微有所提高.低阈值和高效率的特性表明,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制.这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36.1°,而水平方向的是21.6°,表明AlInAs氧化物对侧向光场也有很强的限制能力.     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．     

HART协议解析

简要介绍了HART协议及其在工业生产领域的重要性，HART协议的构成进行了剖析，HART消息的具体构成单元、意义、使用环境、规则等进行了详细的说明。     

振动流化床喷雾造粒的研究

振动流化床喷雾造粒的研究东北大学单宝峰，张继宇辽宁省机械研究院丁颖一、引言用振动流化床喷雾造粒，是振动技术、流态化、喷雾技术的综合应用，集混合、造粒、干燥于一体，在同一封闭容器内实现一步造粒，与传统的造粒法相比具有许多优点：工艺流程简单、设备紧凑、能...     

宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关

研制了一种张应变准体In Ga As半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80 m A的注入电流下,器件的3d B光带宽大于85 nm(1 5 2 0～1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1 5 2 5～1 5 6 5 nm )和L带(1 5 70～1 6 1 0 nm ) .最为重要的是,在3d B光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在70～90 m A之间;消光比大于5 0 d B.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景     

重庆市政府大力支持自然村通电话工程建设

近日,重庆市人民政府办公厅转发了市通信管理局编制的《重庆市2008—2009年自然村通电话工程宴施方案》。     

货车转向架服役期间车辆安全性演变规律研究

针对影响车辆运行性能的关键尺寸和参数,结合运用磨耗规律对转向架现场调研的结果,以C70型敞车为研究对象开展动力学仿真分析计算,确定转向架服役性能演变规律,以及转向架服役期间车辆安全性指标变化情况。结果表明:随着服役时间的增加,车辆在直线行驶时的各安全性指标均增大,但安全性指标值满足国内相关标准,当车辆参数达到检修限值时,车辆在高速行驶时会出现脱轨风险;而随着服役时间的增加,车辆的曲线通过性会出现一定程度的先转好再恶化的过程,这是由于车轮在磨耗后,等效锥度增大而导致,同时车辆在空车和重车工况下,安全性演变规律相似。