首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   76篇
  免费   3篇
  国内免费   14篇
电工技术   1篇
综合类   12篇
化学工业   2篇
金属工艺   4篇
机械仪表   3篇
建筑科学   5篇
矿业工程   2篇
轻工业   5篇
水利工程   3篇
无线电   39篇
一般工业技术   10篇
冶金工业   2篇
自动化技术   5篇
  2024年   1篇
  2023年   1篇
  2022年   2篇
  2020年   1篇
  2019年   4篇
  2018年   4篇
  2015年   2篇
  2014年   1篇
  2012年   4篇
  2011年   3篇
  2010年   1篇
  2009年   6篇
  2008年   5篇
  2007年   4篇
  2005年   3篇
  2004年   6篇
  2003年   2篇
  2002年   6篇
  2001年   13篇
  2000年   3篇
  1999年   10篇
  1998年   1篇
  1997年   7篇
  1996年   3篇
排序方式: 共有93条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
任红霞 《山西建筑》2007,33(19):281-282
结合从事县乡公路管理的工作实践,从设计、施工、管理三方面对县乡公路水泥混凝土路面早期破损原因进行了分析,并提出了相应的预防措施,以提高水泥混凝土路面的质量,从而延长道路使用寿命,提高经济效益。  相似文献   
12.
为优化彩色AC PDP中的气体组成以提高其性能,建立了AC PDP单元气全放电的一维模型。模型是基于对电子和离子运输的二元流体描述,事了泊松方程及一系列动力学方程。利用此模型对潘宁气体Ne+Xe的百分含量对AC PDP单元放电特性的影响进行了数值分析,给出了气体组成比例对AC PDP工作电压及放电过程中产生的UV线效率的影响特性。  相似文献   
13.
守候     
已是隆冬午夜时分,晓雨一个人坐在家里,屋里静得只能听到挂钟"滴达、滴达"的声音,新婚三个月了,这样的夜晚已经有很多次了。"峰什么时候才能回来?"在心里,晓丽一遍又一遍地问自己。无声无息的夜,静得发沉的房间,为什么只能等待?"林峰,你再不回来,我们就离婚!"她真想就这样冲出去大喊出来,"我不要再这样等下去了"然而,心中思绪虽已如万马奔腾,晓雨人却还是一动未动地坐在那里。胸前抱着一个靠垫,眼睛随着墙上的表针移动。"一点多了,快回来了吧?去了这么长时间不会出什么事吧?他现在怎么样广?"想到这里,心里不免又生一阵…  相似文献   
14.
制备块体细晶材料的大塑性变形方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用大塑性变形技术(Severe Plastic Deformation,SPD)制备块体细晶材料近年来得到迅猛发展.他适用于不同金属、合金、金属间化合物等,使材料获得了优异的性能,因此受到了越来越多的关注.本文叙述了大塑性变形的常用方法及其工作原理,指出了目前大塑性变形法在制备块体细晶材料时存在的问题.  相似文献   
15.
改善变形镁合金塑性的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
综述了变形镁合金的基本塑性变形特征,变形镁合金常温下因塑性较差限制其发展,故改善变形镁合金的塑性成为变形镁合金研究与应用中急需解决的重点.细化晶粒、提高变形温度和超塑性变形等方法可以显著提高变形镁合金的塑性,本文介绍了以上2种方法改善变形镁合金塑性的最新研究进展.  相似文献   
16.
为了保证油品计量和生产的需要,建立准确测定石油轻烃含水的试验方法,推广应用于实际工作中,取得了良好的效益。  相似文献   
17.
槽栅MOS器件的研究与进展   总被引:3,自引:1,他引:2  
任红霞  郝跃 《微电子学》2000,30(4):258-262
随产丰VLSIK器件尺寸越来越小,槽栅MOS器件被作为在深亚微9米及亚0.1范围极具应用前景的理想同出来。文中介绍了槽顺件提出的背景,论述了槽栅MOS器件的结构与特点,并就其发展现状和趋势以及存在的问题进行了概括和总结。  相似文献   
18.
均匀化处理对高镁铝合金牺牲阳极性能的影响   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用浸泡法、动电位线性极化、恒电流极化等方法测定了均匀化处理对高镁铝阳极在w(NaCl)=3.5%的溶液中电化学性能的影响。结果表明:均匀化处理对铝阳极开路电位影响不大,但可以缩短阳极达到稳定工作电位的时间,同时减小铝阳极的极化,使合金铝阳极的稳定电极电位变得更负;均匀化处理还可以改善铝阳极的腐蚀均匀性,降低自腐蚀速率,提高阳极的利用率。  相似文献   
19.
任红霞  郝跃 《半导体学报》2001,22(5):629-635
基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的深亚微米槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 .研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且电子施主界面态密度对器件特性的影响远大于空穴界面态 .特别是沟道杂质浓度不同 ,界面态引起的器件特性的退化不同 .沟道掺杂浓度提高 ,同样的界面态密度造成的漏极特性漂移增大 .  相似文献   
20.
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的几何结构参数,如:沟道长度、凹槽拐角、凹槽深度和漏源结深导致的负结深对器件抗热载流子特性的影响进行了研究。并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现,在深亚微米和超深亚微米区域,槽栅器件能够很好地抑制热载流子效应,且随着凹槽拐角、负结深的增大,器件的抗热载流子能力增强。这主要是因为这些结构参数影响了电场在槽栅MOS器件的分布和拐角效应,从而影响了载流子的运动并使器件的热载流子效应发生变化。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号