数字存储示波器扫描时间因数的检定

本文通过对数字存储示波器工作原理及技术特性的分析,给出了能较好评介数字存储示波器扫描时间因数的检定方法。     

挂架载荷的动态标定及其数据处理方法研究

研究武器系统挂架载荷的动态标定及其数据处理方法,为挂架载荷力值的测量提供标定模型。采用对挂架上一特征点施加标准的脉冲和阶跃激励,测量应变片对激励的响应输出,通过非参数拟合,获得标定样本数据库,根据最近邻域法确定未知受力值。结果表明,基于非参数拟合的标定方法,可较好地解决复杂环境下应变片输出的噪声干扰,从而提高测量数据的稳健性。     

对径测量传感器的激光校准方法

对对径测量传感器的校准方法进行分析和研究,指出了当前手工校准方法存在的弊端和精度低的原因。提出了采用激光干涉仪进行对径测量传感器校准的新构想,实现了被测量到光程差的转化,设计了相应的差动校准测量光路,有效地消除了阿贝误差的影响,校准精度从原来的2.0μm提高到0.14μm,同时可得到被测传感器完整的校准曲线,实现了对径测量传感器的高精度、连续化、全自动校准。     

栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系

介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律。并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系。结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰降,从而使CMOS运放电路的抗辐射特性得到明显的改善。     

CMOS运算放大器的辐照和退火行为

介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关.     

不同沟道长度MOSFET的热载流子效应

对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。利用热载流子效应产生的机理分析和解释了这一现象     

测井曲线填充算法研究

测井曲线反映了地下地层的电性特征,是石油勘探开发重要的也是最基本的基础资料之一。将测井曲线可视化可提高其研究及应用价值。对两条测井曲线进行填充显示是测井曲线可视化的一种。文中用c!伪代码描述了一种填充显示算法的实现。     

MOSFET模拟特性的电离辐射响应

通过研究６０Ｃｏγ射线对ＭＯＳＦＥＴ的线性特性和输出特性的影响，定性地描述了氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态增加分别与Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ的迁移率μ退化、跨导ｇｍ下降以及输出特性曲线漂移等的依赖关系。试验结果表明，对于Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ，电离辐照感生氧化物电荷积累和界面态密度增加都将导致器件模拟特性的退化；对于Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ，这种退化主要由辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加所支配。     

CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析

通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性，各节点电流，电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化，探讨了引起运放电特性退化的主要原因，结果显示，由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称，在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配，是导致运放电参数发生剧变的根本原因，对CMOS运放电路来说，电路结构的匹配及MOSFET单管I－V持性的优劣，是决定运放抗辐射能力的关键。     

传感器测量误差分布模型的归一化处理方法与分析

为了在多传感器数据融合中实现各传感器输出误差分布归一化,根据模糊集合理论的模糊可能性方法,给出了从概率分布到可能性分布的截断三角变换,该变换可用于所有单峰对称概率分布.应用这个变换,建立了传感器测量误差的模糊集合模型.对于三种情况的传感器测量误差及分布,分别给出了对应的模糊可能性分布模型.同时,该可能性分布也可用于计算测量结果的置信区间.