多元共混动态硫化SBR热塑性弹性体的研究

本文采用动态硫化技术,借助Brabender流变仪,研究了SBR/HDPE/EVA和SBR/HDPE/EVA/EPDM多元共混热塑性弹性体。结果表明,添加EVA可使共混物永久变形降低;添加EPDM可使共混物拉伸强度增高;适量的增塑剂可改善加工性能;动态硫化多元共混SBR热塑性弹性体具有返炼再生性能。     

气相色谱-质谱联用法测定金属皂中的多环芳烃

建立了金属皂中16种美国环保局(EPA)优先监控的多环芳烃的气相色谱-质谱(GC/MS)联用测定方法,样品先用二甲基亚砜萃取,再用环己烷进行反萃取,经硅胶柱净化后,用GC/MS分离测定。优化了16种多环芳烃(PAHs)的分离测定条件,结果16种PAHs的平均回收率为75.32%￣98.72%,精密度实验相对标准偏差(RSD)为2.19%￣6.93%,检测限(S/N=5)为0.002￣0.010mg/kg。该方法灵敏度高、准确性好,完全可以满足金属皂中多环芳烃的检测要求。     

多级孔HZSM-5分子筛的制备及其催化丙烷脱氢反应性能

以十八水合硫酸铝、硅溶胶、四丙基氢氧化铵(TPAOH)、硝酸铵(NH_4NO_3)为原料,合成硅铝物质的量比为100的HZSM-5分子筛。采用乙酸钠溶液处理HZSM-5分子筛后加入TPAOH溶液进行二次晶化,通过对处理前、后的HZSM-5分子筛负载Pt,制得Pt/HZSM-5催化剂用于丙烷脱氢反应。利用XRD、SEM、XRF、BET、NH_3-TPD和H_2化学吸附对处理前、后的HZSM-5分子筛进行了表征,考察了不同浓度的TPAOH溶液对HZSM-5分子筛的晶体结构、表面形貌、孔结构、表面酸性及丙烷脱氢性能的影响。结果表明,采用乙酸钠溶液处理后的HZSM-5分子筛在TPAOH溶液中发生了二次晶化,不仅形成了微孔-介孔多级孔结构,还能调变分子筛的表面酸性;当TPAOH溶液浓度为0.3 mol/L、晶化温度为170℃、晶化时间为24 h时,得到的Pt/HZSM-5催化丙烷的初始转化率和丙烯选择性均达到最高值,分别为34.2%和99.0%。     

在增塑PVC产生发烟中PVC和邻苯二甲酸二(2-乙基己酯)的作用

引言 PVC在现代建筑上及大量地用作已增塑聚合物的需要上有着广泛的用途。多数广泛使用的增塑剂是邻苯二(2—乙基己基)二酸盐(DOP),DOP的燃点是216℃,当PVC和DOP混合后其结果是降低了阻燃性,增加了发烟量,有关这个理论课题首     

超低排放燃煤电站湿法脱硫和湿式电除尘器中硒含量分布及形态演变

煤中硒在燃烧后释放到气相中,并吸附于气相中的细颗粒物上,可被燃煤电厂中的湿法脱硫系统(WFGD)和湿式电除尘(WESP)系统捕获,明确Se在湿法脱硫系统及湿式电除尘系统中的迁移规律和形态分布情况至关重要。基于氢化物发生-原子荧光光谱(HG-AFS)方法研究了湿法脱硫系统及湿式电除尘系统中关键位置处的硒含量分布和形态演变规律。研究发现,燃煤烟气中的硒可被湿法脱硫系统脱除,捕获后的硒在脱硫塔内固相和液相中的含量分别为1. 07μg/g和0. 123 mg/L,在强制氧化作用下,超过80%的四价硒被氧化为六价硒。浆液经旋流分离器分离后,大部分硒转移到废水处理中。常规废水处理过程只对四价硒具有较高的脱除效率,但废水中六价硒占比超过77%,使传统三联箱废水处理工艺无法实现硒的高效脱除,造成现有燃煤电站废水中硒难以脱除。湿式电除尘系统冲灰水固相中硒富集明显,含量达13. 9μg/g。液相中硒含量为0. 001 6 mg/L,其中四价硒和六价硒占比分别为34. 35%和65. 65%。加装湿式电除尘可将难以脱除的气相硒转移到固相灰中,实现燃煤烟气中气相硒的深度脱除,估算机组全年湿式电除尘可脱除烟气中颗粒态硒2. 9 kg。     

关于化工工艺学教学改革的探讨

本文从强化课堂教学、加强实践与理论教学相结合以及强化学生工程观念等方面对《化工工艺学》课程教学方法的改革进行了探讨,提高了教学质量和教学效果,为更好地培养具有较强综合能力的化工工艺专业合格人才提供了重要保证。     

DSM拟在海南建全球最大的三聚氰胺生产厂

我国第一套5000t／a利用废触体合成四氯化硅生产装置，于2004年9月20日在吉化集团中部生产基地开工建设，预计在2004年12月底建成投产。     

凝结水再循环管道振动原因及减振措施

对比了福建省内某电厂一期、二期工程600 MW发电机组凝结水再循环管道的设计和布置,经过分析,得出了一期管道振动的原因。在二期设计中做出了一些改进,基本解决了凝结水再循环管道的振动问题。     

GaAs基HEMT发展简介

高速电子迁移率晶体管HEMT是一种异质结场效应晶体管,具有高载流子速度和较大的击穿电场的优点。HEMT可应用于逻辑电路、模拟电路和微波电路,是高速低功耗VLSI的理想器件。本论文就Ga As基HEMT工作原理、器件结构的改进等方面做出简单介绍和分析。