阿布扎比NEB油田超长水平井限流筛管完井与酸化优化设计

阿布扎比NEB油田低渗油藏普遍应用超长水平井开发生产,水平段布酸效果是制约超长水平井酸化后产能的关键因素。LEL限流筛管完井和酸化是实现超长水平井均匀酸化的有效手段,但目前常用的LEL限流筛管设计方法多与专业软件相结合,不利于参数敏感性分析和快速优化设计。通过优选管流摩阻计算模型和孔眼流动摩阻计算模型,建立了LEL限流筛管孔眼分布的解析设计方法,可以对超长水平井LEL完井实施快速的孔眼数分布设计;同时结合酸蚀蚓孔长度计算模型和当量表皮系数计算模型进行了酸化效果的快速预测评价。以阿布扎比NEB油田某井实钻井眼情况为例,开展了LEL限流筛管孔眼分布设计和酸化效果预测,得出结论：LEL酸化井酸蚀蚓孔长度可达到1.32～1.63 m,酸化后当量表皮系数可达到-2.85～-3.06;酸液穿透岩心的PV数是LEL设计的一个关键参数,应当通过实验测取。同时认识到,均匀布酸并不能作为LEL酸化设计的唯一目标,应当综合考虑储层非均质性条件,以均衡蚓孔长度、均衡酸化后表皮系数、均衡酸化后产量剖面等为目标开展更加优化的孔眼分布设计。     

磷掺杂比例对a-Si∶H薄膜太阳电池窗口层光电性能的影响

采用RF-PECVD法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜作为太阳电池窗口层.通过椭偏仪、Keithley 4200对所制备样品进行分析测试,研究了不同掺杂比例对非晶硅薄膜沉积速率、消光系数、折射率、光学带隙及电导率等的影响.实验表明:薄膜沉积速率随掺杂浓度升高先减小再增大;薄膜消光系数、折射率及禁带宽度随掺杂浓度升高呈现先减小后增大再减小的现象;电导率则先增大后减小再增大.     

NURBS曲面RCS的物理光学法混合计算

基于近似驻相法和直接积分法,在利用物理光学法(PO)计算NURBS曲面的雷达散射截面(RCS)的问题中提出一种混合积分法.这种方法既保持积分精度,又提高了计算速度.此外,归纳了七种不适合用一般驻相法处理的剖分面元.同时验证了计算中采用NURBS面元剖分对于提高目标RCS计算精度的作用.     

罗盘在车辆导航系统中的应用

文章介绍了美国PNI公司生产的Vector 2X电子罗盘 ,详细给出其在被动模式下的应用实现 ,并描述了一种使用Vector 2X电子罗盘的组合定位的车辆导航系统。     

Nd：GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

通过液相合成方法提纯Nd：GdVO4多晶料，降低生长过程中存在的原料非一致性挥发，以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”，Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd：GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”：YAG晶体对Nd：CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示，Cr^4 ：YAG Nd：GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns，对应峰值能量为26．4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较，发现掺钕浓度越高，激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍，4．8W泵浦光下，最大GaAs调制激光输出为0．63W。     

红外背景干扰研究

根据从许多地区收集来的录象磁带上的图象数据和大量红外图象数据，对红外背景图象内的干扰进行了研究。图象内的噪声是以象元电平为单位的均方根形成计算。图象经过空间滤波处理，对其内的干扰再进行计算。为获得关于红外背景图象的空间频率构成的信息，在滤波和非滤波两种状态下计算了图象的光谱密度，把计算出的干扰值输入数据库取出多组数据并绘图，确定参数量（如天气、背景类型和测量条件等）对干扰电平的影响。     

GPS星座覆盖特性及其对定位精度的影响

基于模糊数学理论的研究方法，对观测点地理坐标系中的全球定位系统的星座覆盖特性，进行定量的描述和统计分析，并研究星座覆盖特性对定位精度的影响。     

大口径光学元件装夹转运结构设计及分析

为了实现大口径光学元件的安全装夹、转运,通过光学元件开槽与不开槽两种装夹方式的分析,得出开槽夹紧转运方式将带来微裂纹、应力集中、成本高等缺陷,提出了利用摩擦力克服光学零件的重力和惯性力的低应力装夹转运方案。通过对光学元件低应力夹紧结构设计,并利用有限元分析方法,得到不开槽装夹方式下,光学元件的最大主应力为1.11 MPa,最大切应力为0.73 MPa,远低于光学元件破坏的强度极限,且受力均匀,无应力集中现象。     

光电混合综合判别相关器自动跟踪系统

在本文中，作者回顾了综合判别函数基本理论，简要地介绍了用ＳＤＦ实现畸变不变相关的的技术途径。在此基础上，成功地将ＳＤＦ相关器应用于目标跟踪，并利用ＳＤＦ相关器构成了一个自动跟踪实验系统。实验结果证明：该系统具有比较好的收敛性和跟踪性能。     

两级运放中共模反馈电路的分析与设计

在两级共源共栅CMOS运算放大器中,设计了一种新的共模反馈电路。这种电路克服了一般共模反馈电路存在的限制输出摆幅的缺点,在稳定电路直流工作点的同时,能有效提高电路的输出摆幅。通过对共模电路结构的分析,证明了其功能原理的正确性。基于0.18μm(3V)CMOS工艺库,用Hspice软件对电路结构进行了仿真验证。结果显示,电路低频增益达到120dB,功耗不到0.24mW。