1.5MHz高频开关电源变压器的设计方法

详细地论述了1．5MHz高频开关电源变压器设计全过程。该变压器可用于推挽正激等拓扑结构。文章介绍了变压器对高频开关电源的影响,分析了变压器磁芯的特性及变压器的设计方法。     

ZrO2添加剂对MnZn功率铁氧体温度特性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体微结构的表征及电、磁性能的测试,研究了ZrO2对MnZn功率铁氧体起始磁导率(μi)和损耗(Pcv)温度特性的影响.结果表明,随着ZrO2添加量的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi及电阻率均先增大后减小,损耗则先减小后增大;当w(ZrO2)=0.02%时,μi和电阻率达到最大值,损耗最低.此外,铁氧体的μi-T曲线Ⅱ峰及损耗最低点所对应的温度随着ZrO2掺杂量的增加向低温移动.当ω(ZrO2)=0.02%时,MnZn功率铁氧体在25～120℃的宽温范围内保持较低损耗.     

CaCO3-SiO2添加对MnZn铁氧体物相及性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备了Mn0.7Zn0.24Fe2.06O4铁氧体.用X射线衍射仪、扫描电镜、B-H分析仪分别表征了CaCO3-SiO2添加对MnZn铁氧体物相、微结构和磁性能的影响.结果表明,添加于MnZn铁氧体的CaCO3-SiO2主要富集于晶界,且生成另相Ca2ZnSi2O7.随着CaCO3-SiO2含量的增加...     

预烧温度对MnZn功率铁氧体显微结构及磁性能的影响

采用传统氧化物陶瓷工艺制备Mn_(0.777)Zn_(0.133)Fe_(2.09)O_4铁氧体材料,研究了预烧温度对材料微结构和磁性能的影响。结果表明,随着预烧温度的升高,材料的密度(d)、起始磁导率(μi)和饱和磁感应强度(Bs)均先升高后降低,材料的损耗(Pcv)先降低后升高。当预烧温度为910℃时,材料具有最大的烧结密度、饱和磁感应强度、起始磁导率以及最小的磁芯损耗。     

Ce：YIG粉体的制备及性能研究

本实验采用共沉淀法制备Ce:YIG粉体。通过对反应体系的pH值的研究，确定了反应的最佳pH值范围为8－9，得到了颗粒分布均匀的粉体。经电子探针微区分析，粉体的组分与实验设计的配方相吻合。粉体在不同的温度条件下进行烧结实验，经XRD分析证实，YIG的成相温度在650℃附近。可以认为，用共沉淀法制备的Ce:YIG粉体化学活性好，烧结温度低。     

Nb2O5掺杂对高频MnZn功率铁氧体微结构和性能的影响.

采用氧化物陶瓷工艺制备了高频MnZn功率铁氧体.从分析材料微观结构入手,研究了添加Nb2O5对MnZn铁氧体起始磁导率μi、电阻率ρ及高频功率损耗Pcv的影响,确定出适宜的Nb2O5添加量为(150～250)×10-6.     

MnZn功率铁氧体高频功耗特性分析

采用氧化物陶瓷工艺制备了2～4MHz频段高频开关电源用MnZn功率铁氧体,通过对铁氧体断面显微结构、密度和磁特性的测试,研究了Fe2O3含量对MnZn功率铁氧体功率损耗特性的影响。结果表明,随着Fe2O3含量的增加,晶粒尺寸逐渐减小,常温下3MHz、10mT高频损耗(Pcv)先增大后减小,Fe2O3含量从58mol%增加到59 mol%时,损耗下降非常明显,而在100℃时,铁氧体的剩余损耗逐渐降低,导致总损耗随着Fe2O3含量的增加而减小。随着频率的升高,剩余损耗(Pr)占总损耗的比重逐渐增加,成为损耗的主要部分,而磁滞损耗(Ph)占总损耗的比重逐渐降低,涡流损耗(Pe)所占比重变化不明显。     

薄膜厚度对Ni-Zn铁氧体薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上沉积Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁氧体薄膜,研究了薄膜厚度对其结构和性能的影响.结果表明,在800℃空气中退火时,Si基片与Ni-Zn铁氧体薄膜存在相互渗透.随薄膜厚度增加,薄膜样品晶格常数及晶粒尺寸增大,饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc均略有增加.     

液相烧结制备高密度R5K MnZn铁氧体磁头材料

低熔点氧化物添加剂在烧结时形成液相,可促进MnZn铁氧体磁头材料致密化,提高密度,改善磁性能.采用液相烧结,制备了组成为Mn0.60Zn0.32Fe2.08O4的高密度MnZn铁氧体磁头材料.     

二磨时间对MnZn铁氧体结构和磁性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究二次球磨时间对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,结果表明,随着二次球磨时间的延长,MnZn功率铁氧体的密度、起始磁导率、饱和磁感应强度及电阻率均先增大后减小,损耗则先减小后增大.当二次球磨时间为2 h时,密度、起始磁导率、饱和磁感应强度及电阻率均达到最大值,总损耗最小且在25～120 ℃宽温范围内均低于350 kW/m~3.