一种MCU时钟系统的设计

介绍了一个基于MCU内核的时钟系统的设计,给出了其电路结构并详细地分析了系统的工作原理。该系统能生成两相不重叠时钟,利用静态锁存器保存动态信息,提供三种电源管理方式以适应低功耗应用。在上华(CSMC)0.6μm工艺库下,利用CadenceEDA工具对电路进行了仿真,仿真结果验证了设计的准确性。     

集成霍尔器件的一个仿真模型及其应用

提出了使用CMOS工艺的集成霍尔器件的一个新的电阻仿真模型.可用于设计集成霍尔传感器的整体设计,将磁信号转换为电信号.使用Verilog-A HDL语言实现,并且用Spectre电路仿真器执行,可实现宽温度范围应用.行为方程和行为参数建立在霍尔器件的基本理论和半导体物理的基础上并且经过电路仿真验证.为了提供对集成霍尔传感器的仿真方便性,使用了必要的Verilog-A HDL实现的磁场模型和霍尔模型.     

基于流水线的自检测进位相关和加法器设计

文章提出了一种基于流水线设计的具有自检测功能的进位相关和加法器。该加法器包括四个8位进位相关和加法器（CDSA）．一个4位超前进位单元（BLCU）和一个奇偶校验器。与普通的行波进位加法器相比，文章设计的加法器硬件实现面积仅增加3．85％，而在关键路径的延时上，该加法器要减少39．2％。     

一种高速高分辨率CMOS比较器

本文讨论了一种高速CMOS比较器,采用前置放大器、锁存器和输出驱动级联的结构,通过优化传输速度、增益和失调电压,采用SMIC0.25umCMOS工艺,用CadenceSpectre模拟器仿真,结果表明最小分辨率为1mV,工作频率达到50MHz,功耗2mW。     

基于分形IP核的平板显示控制器设计与应用

论述了基于分形IP核的平板显示(FPD)控制器的设计与工程实现,所设计的分形扫描控制器可用于LED、OLED、TFT-LCD等平板显示器;平板显示系统由多媒体视频显示卡、以太网视频发送卡、分形扫描控制器及显示屏四大部分组成。使用高速以太网的物理层协议技术取代传统多芯差分长线数据传送,具有高速、长距离传输的优点;扫描控制器用FPGA实现,有效提高了成像灰度等级和画面质量。通过LED平板显示器的设计与实现,说明分形扫描IP核在FPD产业应用的可行性,以及对平板显示系统灰度等级、帧频等参数提高的贡献度。     

Si基OLED微显示器阳极图案化研究

在传统的Si基OLED微显示器像素阳极工艺流程基础上,提出利用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作像素阳极的一次图案化工艺,从而精简工艺流程,节省投资。分析了常规CMOS工艺中Al作为像素阳极表面材料对OLED微显示器光电性能的影响,开发了一种Si芯片作为微显示器基板,最小像素面积为12mm×4mm,在其表面制作有机发光材料,形成Si基OLED微显示器。实验结果表明,在5V驱动电压下,本文研制的OLED微显示器发光强度可达1 000cd/m2以上,电流密度0.1mA/mm2以上,光电响应速度280ns以下,表明利用常规CMOS工艺开发Si基微显示器的可行性。     

平板显示器件的灰度显示优化结构

介绍了FPD灰度显示的优化扫描结构,根据子空间按位扫描方法消除时间冗余的思想,构造了可获得平板显示器高扫描效率的优化扫描结构.将全局平面分解为多个局部区域,从而突破通常逐行、逐点重复写入形成灰度等级的成像方法,对平板显示器实现高灰度成像和高扫描效率具有指导性意义.最后通过FPGA验证,证实了此种扫描方法的可行性和高效率.     

基板温度对氧化锌薄膜晶体管性能的影响

以ITO玻璃为衬底,利用射频磁控溅射制备了以氧化硅为绝缘层的氧化锌薄膜晶体管。研究了氧化锌薄膜制备过程中不同的衬底温度（衬底温度分别为室温、100℃ 和200℃）对于器件性能的影响。和室温下制备的氧化锌薄膜晶体管相比,衬底温度200℃条件下制备的器件的场效应迁移率提高了94% （从1.6cm2/Vs 提高至3.11cm2/Vs）,亚阈值摆幅 从2.5V/dec 降低至1.9 V/dec 而且阈值电压漂移也从18V 减小至3V （老化电压为25V的正栅压,老化时间为1小时）。实验结果表明,衬底加热对于氧化锌薄膜晶体管的迁移率、亚阈值摆幅和偏压稳定性有明显的影响。利用原子力显微镜AFM对氧化锌薄膜的特性就行了研究,器件性能提高的原因也在文中进行了阐述。     

一种并行填谷均衡的动力锂电池管理系统研究

阐述开发的一套锂电池管理系统(BMS),包括电压采样电路、电池均衡电路、MCU控制电路三部分。为了克服多节电池串联后所带来的高共模电压,电压采样部分采用磁环隔离"飞电容"采样。均衡部分采用"反激式变换器"能量转移式主动均衡技术,实现并行填谷均衡功能。构建的硬件模型实测数据显示电压采样精度约达0.2%,均衡效果使得电池组单次放电时间增加6%。     

A new low-voltage and high-speed sense amplifier for flash memory

A new low-voltage and high-speed sense amplifier is presented,based on a very simple direct current-mode comparison.It adopts low-voltage reference current extraction and a dynamic output method to realize its performance indicators such as low voltage,low power and high precision.The proposed amplifier can sense a 0.5μA current gap and work with a lowest voltage of 1V.In addition,the current power of a single amplifier is optimized by 15%.