A new low-voltage and high-speed sense amplifier for flash memory

A new low-voltage and high-speed sense amplifier is presented,based on a very simple direct current-mode comparison.It adopts low-voltage reference current extraction and a dynamic output method to realize its performance indicators such as low voltage,low power and high precision.The proposed amplifier can sense a 0.5μA current gap and work with a lowest voltage of 1V.In addition,the current power of a single amplifier is optimized by 15%.     

适用于FlashMemory的快速响应的低压差稳压器

提出一种适用于flash memory的无片外电容的低压差稳压器设计．利用米勒补偿和自适应基准技术获取高稳定性和增强的瞬态．该低压差稳压器利用片内小电容作为频率补偿的同时还通过它的耦合效应形成高速反馈环路以获得快速的瞬态响应．该电路在低负载情况下具有很低的静态电流和在高负载情况下的高电流效率．提出的稳压器采用90nm工艺,在1．45V到3．8V操作电压范围内,输出1．3V的调制电压和10mA的最大输出电流．对于Flash Memory应用来说,当负载瞬态变化时,提出的低压差稳压器的建立时间仅仅为20 ns ．芯片面积是40μm*280μm ．     

用于电机控制的MCU芯片设计

根据运动控制和电机控制的功能和特性,为电机控制设计了带有微处理器的芯片。微处理器采用在两个机器周期完成一条指令的与M51系列兼容的8位微处理器,其中包括PWM电路、死区发生电路、电机转子位置和速度信息的捕获单元、SPI(串行同步通讯)口、SCI(串行异步通讯)口、A/D及D/A转换器一套安排的中断系统和8位与16位转换模块。     

OLED-On-Silicon像素驱动电路的研究

本文主要描述了一个用于9664点阵OLED-On-Silicon微显示驱动模块及其像素驱动电路的设计.基于时间灰度控制方法,提出采用内置SRAM的二进制锁存恒流源的像素驱动方法,代替传统的像素电路中的大存储电容与开关管的组合形式,提高了像素电路开口率.为简化片内信号连线,提出单元板的概念.     

IP复用的FSPLC微处理器SOC设计

设计了一种专用PLC微处理器SOC模块FSPLC,基于IP核复用方法和SOC技术复用第三方AVRAT90S1200IP核基础上集成了自行设计的LP、BP、MBI、CBI、BBI等模块,以AlteraNiosII开发板作为验证平台对实际的PLC应用程序做了可行性验证,FSPLC具有快速处理PLC梯形图程序、快速处理指令表语句中复杂的嵌套逻辑运算、PLC之间CAN总线通讯等优点。     

基于RISC构架的PLC微处理器设计

可编程控制器(PLC)是一种采用微处理技术的工业控制装置,具有高可靠性、灵活通用、易于编程、使用方便等特点,在工业自动化控制、机电一体化等方面得到了广泛应用。中央处理器可以说是PLC的核心,是决定PLC系统性能的关键。基于RISC构架设计的PLC专用微处理器,处理器内部存储器位寻址接口和布尔处理器的独特设计和二级指令处理流水线的设计思想,可提高PLC的实时性和稳定性,而且对后续相关产品的开发和设计具有参考价值和实用意义。     

高速MCU核中并行优先级中断系统的设计与实现

传统的微控制器(MCU)通常采用串行菊花链中断结构，每次都要按照优先级顺序串行查询中断源，在中断源比较多或需要快速实时处理的场合，无法满足中断响应时问的要求。文章在介绍两优先级11个可屏蔽中断源的中断系统基础上，提出了一种并行优先级中断结构，给出了详细的硬件描述语言实现流程图。该中断系统嵌入到所设计的高速MCU核里，通过Altera的APEX20KE FPGA开发板引出MCU的端口引脚，在实际微控制器应用系统上成功地进行了测试。     

640×480像素矩阵OLED-on-silicon微显示芯片设计

描述了一种内置SRAM的640×480像素矩阵OLED-on-silicon单色微显示电路的设计.像素电流12 nA～1.6μA可调.每个像素点面积不超过400 μm2,信号最大扫描频率30 MHz.采用chartered CMOS 0.35μm 18 V高压工艺仿真设计,成功实现了OLED技术和CMOS工艺的结合.     

10位逐次逼近型A/D转换器的芯片设计

介绍了一种10位、3M sample/s逐次逼近型A/D转换器的设计,描述了具有可变时钟电路结构的有效工作方式.该模数转换器在0.6 μ m双多晶硅、双金属层CMOS工艺上实现,芯片总面积为3.2mm2.转换器采用单5V电源供电,功耗仅为3 5mW.     

一种新型电流运算放大器的设计

本文设计了一种新型的全差分电流运算放大器(COA)。本放大器采用电源电压2.5V、CMOS0.25μm工艺实现,输出级使用电容进行频率补偿,达到了足够的带宽和相位裕度。经过精心设计,该放大器的开环直流增益为74dB,单位增益带宽45MHz,相位裕度达到53deg,功耗为1mW,满足电流运算放大器要求的所有指标。