悬臂梁式硅微加速度传感器的设计仿真

文章利用ANSYS软件对悬臂梁式硅微加速度传感器敏感芯片进行了设计仿真，给出了一种能满足，量程50g，精度10^-3要求的硅微加速度传感器的结构，并对加工时可能引入的工艺误差所带来的影响进行了讨论。     

氧化多孔硅隔离技术研究

我们对多孔硅氧化隔离技术进行了初步的实验研究.用SEM对PSL进行了观测.针对所出现的沟道漏电现象,采用了在热氧化之前于N_2中热处理的消除漏电方法.对OPS隔离性能的测量结果表明,与常规PN结隔离相比,击穿电压有了很大提高,漏电流也降低了一个数量级.     

用于微波CAD系统的FET大信号模型

针对微波ＣＡＤ系统中使用的各种肖特基结场效应管模型，进行综合性分析与比较后，给出了最新的，用于仿真电路非线性特性的精确模型－基于测量的数据模型（查表式模型），该模型与物理模型及工业标准经验模型相比，不仅更真实地反应了器件等效电路的端口特性，建模过程更加简单。     

一种单片高效开关DC/DC转换器的设计与实现

提出了一种针对便携式电子产品的高效单片开关DC/DC转换器.采用固定关断时间PWM控制方式代替传统的固定频率PWM控制方式,转换器的开关频率和开关电流损耗随输入电压减小而降低,弱化了转换效率随电池电压下降而降低的趋势;除一般PWM/PFM供电模式外,该转换器增设了LDO供电模式以降低转换器的最小输入电压,提高了电池使用效率;另外,该转换器采用既能消除开关管与同步整流管瞬通电流损耗、又能消除其驱动缓冲级瞬通电流损耗的"嵌套"死区缓冲器.仿真结果表明,该转换器转换效率高达95%.转换芯片以0.5μm2P3M Mixed Signal CMOS工艺流片,实测效率达91%.     

一种差分输入限幅放大电路的设计

设计了一种差分输入限幅放大电路,详细分析了电路的结构.根据此差分输入限幅放大电路的结构,结合输入信号的特点,将其工作状态分为4种情况,并通过公式推导证明了它们的工作原理.运用Cadence的仿真工具对电路进行了逻辑仿真验证,仿真结果和理论推导结果一致.最后,提出了绘制此差分输入限幅放大电路版图时的注意事项,且将其应用于某总线驱动器的接收器电路中,并投片成功.     

空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现

为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI（Silicon on Insulator）集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于3.3V-0.35μm-PD（Partly）SOI CMOS（ComplementaryMetal-Semiconductor）工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库。标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证。实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300krad（Si）。     

基于片内总线的系统芯片（SoC）硬件调试器

本文提出基于SoC片内总线的嵌入式硬件调试器的设计方法,提高了调试速度和通用性,使SoC用户通过简单的标准串口就能够暂停内都微处理器的指令流水线,快速地访问微处理器内部的寄存器、外部的存储单元,监视内部的指令执行情况和片内总线的数据传输情况。     

一种用于DC-DC转换器的精密振荡器设计

提出了一种用于DC-DC转换器的高频、精密张驰振荡器的设计方法.基于V-i转换器原理,设计了精密电流产生电路;基于基极电流补偿技术,设计了一种结构新颖的比较器门限电压产生电路,从而有效地提高了振荡器频率稳定性和精度.通过外接可调电阻,振荡器可调工作频率为100 kHz～3 MHz,并能同时提供占空比85%的方波信号和用于斜率补偿的锯齿波信号,还具有与外接时钟信号同步振荡的功能.流片测试结果表明该振荡器满足设计指标.     

0.35μm BiCMOS工艺的器件建模

针对0.35μmBiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试条件和方法,设计了测试结构及模型验证环振电路,完成用于试验流片及参数提取的测试版芯片的设计,最终利用测试芯片的测量数据提取模型参数,分别建立高精度的MOS及Bipolar器件SPICE模型.     

0.35μm SOI CMOS器件建模技术研究

介绍了SOI技术的优势和器件建模的意义.针对0.35μmSOI CMOS工艺的开发,设计了用于建模的测试芯片.对于SOIMOSFET中存在的自加热等寄生效应设计了参数提取的流程,并设计了相应的测试方法.在得到所需的测试数据后,采用局部优化方法进行参数提取.最后通过模型仿真结果和测试数据的比较证明了建立的0.35μm SOI CMOS模型有较高的精度.