板壳式换热器传热准则关系式的分析与实验研究

假设板壳式换热器为特殊板式换热器,介绍了板壳式换热器传热准则关系式的研究方法.分析比较了壁面温度测定法、等雷诺数法、威尔逊法和等流速法等的适用性,确定了利用等流速法来进行实验研究,并分别进行了测定实验和验证实验,测定实验控制进出口流速相同,验证实验控制热侧流速不变,改变冷侧流速,采用实验获得的数据拟合传热准则关系式,计算出传热系数的相对误差.结果表明:传热系数的相对误差小于5%,所得传热准则关系式是合理的,表明板式换热器的研究方法适用于板壳式换热器.     

采空区冒落松散岩体中的成巷方法研究与应用

玲珑金矿大开头矿区主运输平巷承担着矿石运输的重要任务,须穿过近20 m宽的冒落采空区,此段巷道上有破碎冒顶,下有深部坍塌,左右岩移量大。矿山曾采用国内外常规成巷方法给予重新成巷与支护,但均以失败告终,矿山生产受到严重影响。针对矿山采空区冒落松散岩体的特性,结合玲珑金矿大开头255平巷的实际情况,独创了一种顶板插板支护配合两帮U型钢拱架插杆支护的帮顶扩张式联合支护的一次成巷方法,对塌陷底板进行了清理充填处理,对冒落的岩石进行了掘进和清理,对顶板和两帮进行了一体化有效支护,该方法有效解决了冒落松散岩体等恶劣介质中的成巷与支护难题,确保了矿山的生产能力,而且加快了矿石运输速度,取得了良好的经济效益。     

锂-7与某些裂变产物和反应堆腐蚀产物的分离

本文分别以放射性核素~(137)Cs(Ⅰ)、~(60)Co(Ⅱ)、~(51)Cr(Ⅲ)和~(144)Ce(Ⅲ)代表不同价态的裂变产物和反应堆材料腐蚀产物,选用732~#强酸性阳离子交换树脂,测定了Li以及这些核素在不同的硝酸浓度下的分配系数与分离系数。研究了~7Li与上述核素的各种分离条件和影响因素。此外,还研究了用无机离子交换剂(磷酸锆)分离提纯~7Li的各种条件。测定了将洗脱液LiNO_3～HNO_3溶液用电渗析法转化为LiOH的各种影响因素,并确定了分离和转型的最佳条件,得到了放化纯的LiOH。     

西山矿区采空区调查及分布规律

根据玲珑金矿西山矿区的具体生产情况,以采空区位置坐标、面积和体积为参数,统计了该矿区采空区的情况,并用SPSS软件分析了采空区空间分布和体积分布的相关规律,为采空区的处理提供了依据。     

应用选矿-拜耳法工艺处理一水硬铝石型中低品位铝土矿生产氧化铝的工业实践

论述选矿拜耳法生产氧化铝的工艺过程,对技术指标进行分析,总结生产实践得失,为选矿拜耳法新技术的普遍应用,优化过程指标,提高经济效苴提供借鉴。着重讨论了铝土矿选矿过程、选精矿溶出过程、赤泥沉降过程以及浮选药剂对生产的影响和改进。本文指出,应用选矿拜耳法可以经济地处理一水硬铝石型铝土矿,其生产流程简单．技术先进可靠,对低品位一水硬铝石型铝土矿资源经济有效地利用有开创性贡献。值得推广。     

高T_cYBa_2Cu_3O_x中Cu离子价态的H_2~+束流光谱研究

对高T_c YBa_2Cu_3O_x及名义组成为YBa_2Ag_3O_x和YBa_2Cu_(1.5)Ag_(1.5)O_x体系进行了H_2~+束流光谱的比较研究,证实YBa_2Cu_3O_x的束流光谱主要是Cu离子的贡献。通过对谱带的指认,讨论了Cu离子可能存在的价态。     

一种低相位噪声的UHF频段小数分频频率综合器

提出并实现了一款采用相位噪声优化技术的特高频(UHF)频段小数分频频率综合器,其工作频率为0.8～1.6 GHz.采用死区消除技术减少了鉴频鉴相器和电荷泵的噪声对系统的影响.采用分布式变容管结构和二阶谐波滤除技术设计压控振荡器,使压控振荡器获得了更低的相位噪声.采用新型的陷波滤波技术设计△-∑调制器,进一步降低带内相位噪声和系统的杂散.采用TSMC 180 nm CMOS工艺进行了流片验证.测试结果表明该频率综合器在0.01,1和10 MHz频偏处的最大相位噪声分别为-95,-127和-146 dBc/Hz,杂散抑制低于-81 dBc,而频率综合器芯片的功耗仅为20 mW,芯片面积为2.5 mm×1.1 mm.     

后伸牵引整复法治疗腰椎间盘突出症60例临床观察

目的:观察后伸牵引整复法治疗腰椎间盘突出症的临床疗效.方法:将118例腰椎间盘突出症患者分为观察组和对照组.观察组60例,采用后伸牵引整复法治疗;对照组58例,采用传统推拿治疗,进行两组疗效比较.结果:观察组治愈率65%,总有效率93.3%,经X2检验,两组治愈率、总有效率差异均非常显著(p＜0.01).结论:后伸牵引整复法治疗腰椎间盘突出症有显著的临床疗效.     

La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成

用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能生成富金属硅化物,单硅化物和二硅化物,但最终稳定相都是二硅化物LaSi_2,CeSi_2和NdSi_2。氧的沾污不但影响生成的硅化物相和质量,甚至阻止硅化物的生成。镀膜时的衬底温度和防止氧化的保护层对硅化物薄膜的质量,平整度,均匀性等都有明显的影响。     

Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火

本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化.