ROADM与城域核心光网络

如今宽带需求日益增长,城域网改造升级日益频繁。针对这种需求,分析了当前城域核心网络的现状及下一代网络构想,重点分析了ROADM技术优势、系统组成及类型,提出了在城域核心网中采用ROADM技术将是网络建设的必然选择。     

未来实现多媒体会话业务的智能终端

现用的电信终端功能单一,不能满足多媒体会话业务对终端所提出的要求。本文分析了问题所在,提出了未来电信终端的发展趋势,描述了多媒体会话业务终端的主要特点。     

实时信号量机制的研究

随着实时嵌入式技术的发展,越来越多的实时系统采用Windows操作系统平台。为了满足实时系统严格的响应时间要求,增加Windows操作系统的实时能力非常必要。进程间的通信是任何一个实时操作系统中必不可少的一部分,在此分析Windows操作系统原有进程间通信的弊端,提出改进方法,在Windows操作系统上减少进程间通信所消耗的时间,提高进程间通信的效率。     

液晶微透镜阵列直接成像

针对传统显微镜结构复杂且视场角小等问题,提出一种两路低电压驱动的液晶微透镜阵列结构,透镜的焦距由3个电极控制,中间电极为圆孔阵列图案电极,作为孔径光阑以阻止微透镜外的杂散光。对该阵列的波前和光焦度进行了测试,搭建了一套简易液晶微透镜阵列直接成像系统,每个微透镜都对待观察物体的不同区域成像,通过近平行光照明减小相邻微透镜间的串扰,拼接所有单元图像得到完整图像。该系统无需额外的光学器件,结构简单紧凑。液晶微透镜阵列具有大视场,成像区域具备可扩展性,为实现大视场下的简易显微成像提供了新思路。     

基于比较器的四值电流型CMOS加减电路设计

该文通过对电流型CMOS电路的阈值控制引入了多值电流型比较器。与2值逻辑电路相比,多值逻辑电路的单条导线允许更多的信息传输。相较于电压信号,电流信号易实现加、减等算术运算,在多值逻辑的设计上更加方便。同时提出了基于比较器的4值基本单元设计方法,实现了4值取大、取小以及反向器的设计,在此基础上设计实现了加法器和减法器。该设计方法在2值、3值以及n值逻辑上同样适用。实验结果表明所设计的电路具有正确的逻辑功能,较之相关文献电流型CMOS全加器有更低的功耗和更少的晶体管数。     

改进经验模态分解算法在光纤布拉格光栅周界入侵行为分类中的应用

为了解决周界入侵行为识别正确率低的问题,对经验模态分解算法进行改进,并将其用于光纤布拉格光栅周界入侵行为分类。该方法利用短时平均过零率从整体信号中提取入侵信号,采用两次极值波延拓抑制经验模态分解算法的端点效应,对入侵信号进行分解并提取有效分量的特征,引用支持向量机对入侵行为进行识别;在室外环境下分别对无入侵和攀爬、剪切、碰撞、触摸4种入侵行为进行分类与识别。结果表明,所提方法能有效识别不同的入侵行为,识别正确率大于96%。     

电磁诱导透明中探测光量子噪声的研究

首先研究了处在热平衡条件下的A型三能级原子与环境(热辐射场)的涨落耗散,利用马尔科夫近似下的系统 - 源相互作用理论精确推导出A型三能级原子衰减态密度矩阵元的演化方程组.在此基础上进一步研究了热平衡稳定态.最后利用全量子理论对光场失谐时电磁诱导透明中探测光的量子噪声进行了研究.结果表明量子噪声主要来源于激发态的原子态密度以及驱动光的失谐量,因此在冷原子系统中实现EIT并且减少驱动光的失谐量将是控制量子噪声的关键.     

强干扰下的波束形成

提出强干扰条件下等距线阵的波束形成方法。该方法将空间角度映射到数字频率,对阵列方向图的设计就等效于对FIR滤波器的零点设计。在强干扰方向形成零陷可采用零点修改法与零点增加法2种设计方法,由于该2种方法均会使波束主瓣方向略有改变,且对旁瓣的抑制能力有所下降,所以要设计方向图指向正确且对旁瓣电平有要求的方向图时需要进行迭代设计。仿真结果表明,该2种设计方法适用于强干扰条件下弱信号的接收。     

CARD资源发现架构在无线传感网络中的性能研究

(西北工业大学计算机学院,陕西西安,710072)【摘要】CARD架构适用于大规模、高查询率、每次查询的数据传输量较小的Ad-hoc网络,它的核心目标是降低网络资源发现能耗,延长网络生命周期。文章首先介绍了CARD架构的结构;然后,建立了该架构的数学模型,该模型以无线传感器网络为目标场景,并推导出CARD架构的能耗和查询成功率与各个参数之间的函数关系;最后,根据该模型对CARD架构的能耗和查询成功率进行了理论分析,为CARD架构的参数选择提供了可靠的依据,并为对架构的进一步优化打下了坚实基础。     

Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer

A GaN vertical light emitting diode(LED)with a current block layer(CBL)was investigated.Vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL were fabricated.Optical and electrical tests were carried out.The results show that the light output power of vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL are 40.6%and 60.7%higher than that of vertical LEDs without a CBL at 350 mA,respectively.The efficiencies of vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL drop to 72%,78%and 85.5%of their maximum efficiency at 350 mA,respectively. Moreover,vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL have relatively superior anti-electrostatic ability.