铁电薄膜漏电流研究现状

铁电薄膜的漏电流问题一直是困扰铁电存储器发展的重要问题。文章介绍了铁电薄膜的主要导电机理如热激发电子电导、空间电荷限制电流(SCLC)、Pool-Frenkel发射、肖特基发射等,影响漏电流大小的主要因素如薄膜厚度、工艺温度、晶粒尺寸、电极材料、搀杂离子等。同时介绍了漏电流对铁电薄膜极化和抗疲劳特性的影响。     

锆钛酸铅薄膜化学刻蚀技术研究

介绍了一种刻蚀效果良好的应用于铁电存储器(FeRAM)的PZT薄膜的化学湿法化学刻蚀方法。采用典型的半导体光刻工艺,通过研究不同的刻蚀剂对PZT薄膜的化学刻蚀效果表明,利用BOE/HNO3/CH3COOH/HCl/NH4Cl/EDTA刻蚀液刻蚀PZT薄膜可得图形质量及铁电性能良好的铁电电容,能满足铁电存储器对铁电薄膜微图形化要求。     

Pechini法制备Bi0.5Na0.5TiO3陶瓷的研究

采用Pechini法成功制备出钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5TiO3,简写为BNT)粉体,并利用此粉体烧结出致密的BNT陶瓷。Pechini法所制备的BNT陶瓷具有优良的压电性能,其压电常数d33高达105 pC/N,是目前文献所报道BNT陶瓷压电常数的最高值。室温时只需施加80 kV/cm的测量电压即可获得矩形度极好的饱和电滞回线,其剩余极化强度Pr与矫顽场Ec分别为37μC/cm2和61.2 kV/cm,且在60℃只需施加40 kV/cm的直流电场就可以使陶瓷充分极化。对不同Bi3 含量BNT陶瓷的研究表明,适当的Bi3 含量有利于获得结构致密、晶粒细小的微观结构与较高的铁电、压电性能。     

铁电微管的制备与表征

采用化学浸润法在多孔硅模板上制备了锆钛酸铅(PbZr0.52Ti0.48O3,PZT)铁电微管,X射线衍射分析表明铁电微管为钙钛矿结构.运用扫描电子显微镜和原子力显微镜对铁电微管的微现形貌进行了观察,其姑果显示两种方法所测得的铁电微管直径不同.利用压电响应力显微镜观察到了铁电微管的电畴图像,并测得了铁电微管的微区电滞回...     

铁电存储器集成工艺中关键技术研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器与传统的半导体存储器相比有很多优点,其关键集成工艺技术有铁电薄膜制备技术、电极制备、刻蚀技术、氢阻技术、金属互连技术、钝化技术.简要介绍了这些工艺技术的研究现状,并讨论了相关工艺对性能的影响.     

铁电薄膜及其在存储器件中的应用研究现状

概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状,将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较,针对铁电薄膜在存储器中的应用,探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题,指出了当前研究的重点.     

掺杂对PZT铁电陶瓷的介电铁电性能的影响

掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能.着重对掺La3+、Mn2+对PZT陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨,通过对掺两种添加物的样品的介电、铁电性能的比较发现:掺La3+可以增大剩余极化值和损耗;掺杂Mn2+可以降低损耗;同时加入La3+、Mn2+可以调整PZT性能得到理想的效果:2Pr为80×10-6/cm2,tgδ为0.6×10-2.