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31.
对InP晶片的化学腐蚀特性进行了分析,研究了酸性腐蚀液(盐酸系列腐蚀液)的配比、腐蚀液温度等工艺条件对InP晶片腐蚀速率、表面腐蚀形貌和化学腐蚀片表面粗糙度的影响。研究结果表明,腐蚀液温度为室温时,改变腐蚀液配比,InP晶片的腐蚀速率变化不明显,而当腐蚀液温度发生变化时则腐蚀速率、晶片表面腐蚀形貌(显微镜下的表面状况)和化学腐蚀后晶片的表面粗糙度均有较大变化,当腐蚀液温度控制在一定范围时,晶片表面光洁,显微镜下观察到的腐蚀图形均匀一致。研究结果对确定InP晶体加工过程中的化学腐蚀工艺有一定的指导意义。 相似文献
32.
VB-GaAs抛光片表面粗糙度研究 总被引:1,自引:0,他引:1
将表面粗糙度作为评价垂直布里奇曼法砷化镓(VB-GaAs)抛光片表面质量的一项技术指标,研究了不同粒径的抛光液对VB-GaAs抛光片表面粗糙度的影响.通过试验对比,对于不同抛光阶段(包括粗抛、细抛及精抛三个阶段)进行了分析,粗抛阶段应采用较大粒径的抛光液,细抛阶段应采用稍小粒径的抛光液,而精抛阶段应采用小粒径的抛光液. 相似文献
33.
34.
因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降。检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂。要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度。 相似文献
35.
Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注.介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法.研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响.研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度. 相似文献
36.
小儿静脉输液是临床给药的重要途径之一,也是抢救危重患儿一个重要手段,是儿科护理工作中的基本操作,而且小儿输液量较少,2次输液间隔时间多为16~22H,需要较长的维持时间,所以有效封管较为重要. 相似文献
37.
为了提高星上TDICCD相机成像系统的有效寿命,降低系统在轨运行状态变化后对成像质量的影响,提高星上系统可靠性,设计了星上实时辐射校正系统;通过旋转焦平面,完成星上实时辐射校正与处理,获得多片TDICCD通道间和像元间校正参数,提高相机成像系统的空间适应性和非均匀性指标。在FPGA内部完成校正参数实时存储与处理,并对参数的可靠性、稳定性进行优化。该方法能够实现相机在轨状态下的相机非均匀性校正参数的实时获取。测试结果表明:系统通道内的像元非均匀性能够提高到2.01%,能够实现星上实时辐射校正的功能,获得良好效果。 相似文献
38.
39.
为比较以采暖空调能耗及室内热环境作为评价建筑围护结构设计优劣标准的差异,本文以长沙某宿舍楼为分析对象,采用热不舒适率(TDCR)作为建筑室内长期热环境评价指标,通过改变建筑的外墙传热系数,遮阳系数和窗墙比等围护结构参数,针对围护结构对采暖空调能耗及TDCR指标的影响进行了分析。研究结果表明采暖空调能耗和TDCR指标之间具有较强的相关性,但各围护结构因素对采暖空调能耗和室内热环境影响的趋势和灵敏度不同。 相似文献
40.
为了解决星上图像整合电路工作频率过高而造成的成像系统工作不稳定的问题,在相机的结构上进行创新,提出了一种基于FPGA平台实现的星上TDICCD遥感图像实时合成压缩方法。首先,介绍了星上多通道遥感图像实时合成压缩的原理;然后,针对TDICCD线阵推扫成像模式的特点,采用基于行的2D-DWT整型提升算法,提出了比特平面和编码过程全并行的EBCOT结构,实现了在对图像数据进行整合的同时进行图像的近无损压缩;最后,搭建试验平台进行验证,结果表明,在无损压缩和2倍压缩时,系统主时钟从原来的100 MHz分别降低为80 MHz和64 MHz,系统稳定,恢复图像的PSNR可以达到84 dB,满足大于80 dB的成像质量要求。处理每行的平均时间61.2 s小于相机的最小行周期63 s。算法稳定可靠,实时性好,实现了相机内部的合成压缩,满足实际工程需求。 相似文献