加快农村水电资源开发利用积极推进农村水电技术现代化建设

由《中国农村水电及电气化》杂志社和中国农村水电及电气化信息网联合主办的“学习贯彻《可再生能源法》，加强水能管理”论坛近期在哈尔滨举行。水利部副部长索丽生作书面发言，水利部水电局局长程回洲到会发表重要讲话，部分地方水利厅（局）主管领导相继发言，会议围绕“如何加强水能资源开发利用管理工作”这一主题展开了广泛深入的研究与探讨。本刊在“论坛”栏目中整理，刊登部分发言，以期对各地水行政主管部门学习领会《可再生能源法》，加强水能资源开发管理工作有所借鉴。     

静电感应晶闸管的负阻转折特性分析

描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性.从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程.得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果.     

具有混合I-V特性的静电感应晶体管的电性能

研究了具有混合型I-V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I-V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用.讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子β的作用.研究结果对静电感应晶体管的设计和制造,特别对具有混合型I-V特性的静电感应晶体管有实用价值.     

基于遗传算法搜索低旁瓣最大长度序列

最大长度序列通过线性反馈移位寄存器产生,广泛应用于脉冲压缩雷达中。针对不同反馈连接产生序列的非周期自相关函数旁瓣特性不同,而目前尚无有效办法寻找具有低旁瓣特性的最大长度序列,利用遗传算法搜索线性反馈移位寄存器的最佳反馈连接,该反馈连接产生最大长度序列非周期自相关函数特性非常好。通过MATLAB仿真了遗传算法搜索过程、最大长度序列非周期自相关函数,给出了4～15级线性反馈移位寄存器反馈连接表,并对最大长度序列非周期自相关函数进行加窗处理,获得了更好的旁瓣抑制效果。     

有关"人人创造质量、人人享受质量"的思考

自从1978年第一个“质量月”诞生以来，每年质量月的主题也在相应变迁着。当年，质量月是在“生产优质品光荣、生产劣质品可耻”的口号中进行的。当时质量月活动被置于“光荣与可耻”的氛围中，显然是带有很强的提倡色彩。到了市场经济发展阶段。质量已经不需要特意提倡了。因为市场自然会淘汰那些劣质产品出局。所以质量不再与人们情绪化的词汇相联系、相呼应，而是与企业的生存紧密联系起来。如2003年质量月的主题是“坚持以质取胜、提高竞争实力。”     

Na/Mg共掺ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性研究北大核心CSCD

利用溶胶-凝胶旋转涂膜法在耐热玻璃衬底上制备了不同膜厚的Na/Mg共掺ZnO薄膜。重点研究了膜厚对Na/Mg共掺ZnO薄膜结构和光学特性的影响。扫描电子显微镜（SEM）图像和X射线衍射（XRD）图谱分析结果表明,膜厚为200~500 nm时,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性、致密性及c轴择优取向生长特性都呈现出先增强后降低的趋势。透射光谱分析结果表明,薄膜在可见光范围内的平均透光率随着膜厚的增加而显著下降。实验条件下,膜厚约为300 nm的Na/Mg共掺ZnO薄膜具有优良的结构特性和透光特性。荧光光致发光（PL）谱表明该薄膜中缺陷很少,是优良的紫外发光材料。     

8位CISC微处理器的设计与实现

介绍了一种基于FPGA芯片的8位CISC微处理器系统,该系统借助VHDL语言的自顶向下的模块化设计方法,设计了一台具有数据传送、算逻运算、程序控制和输入输出4种功能的30条指令的系统。在QUARTUSII系统上仿真成功,结果表明该微处理器系统可以运行在100 MHz时钟工作频率下,能快速准确地完成各种指令组成的程序。     

300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备

为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上,使其反向击穿电压提高到了300 v以上,我们采用硅材料做为衬底,肖特基结区采用蜂房结构,终端采用两道场限环结构加一道切断环结构,所制备的肖特基二极管在正向电流10A时,正向压降仅为0.79 V;同时在施加300 V反向电压时,反向漏电流在5μA以下.     

An ultra-low-power area-efficient non-volatile memory in a 0.18 μ m single-poly CMOS process for passive RFID tags

This paper presents an ultra-low-power area-efficient non-volatile memory(NVM) in a 0.18μm singlepoly standard CMOS process for passive radio frequency identification(RFID) tags.In the memory cell,a novel low-power operation method is proposed to realize bi-directional Fowler-Nordheim tunneling during write operation. Furthermore,the cell is designed with PMOS transistors and coupling capacitors to minimize its area.In order to improve its reliability,the cell consists of double floating gates to store the data,and the 1 kbit NVM was implemented in a 0.18μm single-poly standard CMOS process.The area of the memory cell and 1 kbit memory array is 96μm~2 and 0.12 mm~2,respectively.The measured results indicate that the program/erase voltage ranges from 5 to 6 V.The power consumption of the read/write operation is 0.19μW/0.69μW at a read/write rate of (268 kb/s)/(3.0 kb/s).     

沟道电势分布对静电感应晶闸管瞬态特性的影响

本论文从理论和实验上研究了由几何参数与偏置电压决定的沟道电势分布对静电感应晶闸管(SITH)瞬态性能的影响。从理论上推导出了SITH势垒高度和I-V特性的数学表达式。论文深入研究了影响器件在阻断态和导通态瞬态性能的主要因素和机理。研究结果对SITH的设计、制造、性能优化和应用有一定的指导意义。