H.264和AVS多模视频解码器中运动矢量预测的硬件实现

文章比较了H.264和AVS两个标准在运动补偿中运动矢量预测算法的差别,提出了一种实现H.264中主档次（main profile）下的第4级别（level 4）和AVS中的基准档次面向高清应用时运动矢量预测复用的硬件结构.提出了一种新颖的缓存管理更新机制,极限情况下用于运动矢量的片上缓存大小减少了75%.用FPGA验证结果表明资源占用情况是单独实现AVS的2.3倍,是单独同时实现两个标准的70%.能实现对1080i 30Hz高清图像实时解码.     

LiF作电子注入缓冲层对有机电致发光器件电容的影响

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度。文章主要对OLEDs(A):Al/Alq3/ITO和(B):Al/LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72500pF减小到12500pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能。     

NPB修饰层提升聚合物太阳电池的性能

将广泛用于光伏器件的有机材料二胺(NPB)应用到光电器件中,是一种新的提升器件性能的思路。基于NPB材料的空穴传输特性,以3-己基噻吩的聚合物(P3HT)和富勒烯衍生物(PCBM)作为活性层,制备了不同阳极修饰层的太阳电池,研究了NPB修饰层对器件性能的影响。通过光照和黑暗条件下电学特性的比较以及拟合计算,分析了NPB修饰层对性能影响的内在原因,并对其厚度做了优化。结果表明:NPB厚度为5 nm时,器件的短路电流、开路电压和填充因子都有所提高。NPB修饰层可以改善界面接触,提高空穴的收集效率。     

基于Siwave和ADS的高频仿真

摘要：随着光刻技术的发展,以及封装技术的提高,硅片的集成度越来越高,现在的工艺也允许在100纳米级的硅片上集成上亿的晶体管;随着工作频率的提高,电磁波长也与器件的尺寸相比拟,传统的基尔霍夫定律不再适用,反射及串扰开始影响信号的质量;随着电压幅度的降低,电流的增大,电源配送网络稳定性设计变得更加复杂。这样为了给晶体管提供一个干净的电源或信号,传递信号及电源的网络的完整性分析将变得至关重要。本文通过siwave和ADS 的集合对网络进行电源完整性及信号完整性仿真,优化电路板,缩短开发周期节约成本。     

巧妙灵活便捷现代——试析韩山师范学院图书馆的建筑设计

图书馆是积聚人类文化成果并加以传播、继承、发扬的场所,是人们获得知识和交流学术信息的中心。汕头市第二建筑设计院设计的韩山师范学院图书馆位于潮州市韩山师范学院校园内。走进校园,首先映入眼帘的便是图书馆,它与入口广场形成一个开放性空间,     

电力SITH动态测试原理与计算方法

介绍了电容脉冲测试原理，指出采用高电压，小电流的直流电源，可对电力ＳＩＴＨ的动态参数进行模拟测试。文中给出了测试电路的设计计算方法。     

(Li,Mg):ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性表征

利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg):ZnO薄膜.重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg):ZnO薄膜的结构及光学性质.扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明随着膜厚的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜的晶化程度及c轴择优取向性增强.但薄膜厚度的增加是有一定范围的,当薄膜厚度过大时,薄膜均匀性、致密性及c轴择优取向性显著下降.样品的荧光光致发光(PL)谱表明,Mg的掺入使近紫外发光峰出现了蓝移,恰当膜厚的(Li,Mg):ZnO薄膜发光特性主要以深能级发射(DLE)为主,蓝绿发光峰强度很高.     

用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2.实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低     

静电感应晶闸管的负阻转折特性

针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后Ⅰ-Ⅴ特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.