悬浮固化-分散液-液微萃取-气相色谱法测定蔬菜中6种拟除虫菊酯类农药

建立了QuEChERS(Quick,Easy,Cheap,Effective,Rugged and Safe的缩写)结合悬浮固化-分散液-液微萃取(DLLME-SFO)-气相色谱测定蔬菜中6种菊酯类农药残留的方法。待测样品用含1%乙酸的乙腈溶液提取,提取液经混合固相分散萃取净化后经DLLME-SFO浓缩,最后用气相色谱(ECD)进行检测。实验考察了QuEChERS方法中提取溶剂的影响,DLLME-SFO中萃取剂种类与体积,分散剂种类和体积,盐浓度等对萃取效率的影响,优化结果为以40μL十六烷为萃取剂,1000μL乙腈为分散剂,5mL水中NaCl的加入量为1.25g。结果表明,在黄瓜和番茄基质中6种菊酯类农药在5、10、50μg/kg 3个添加水平下农药的平均回收率为84.84%~111.59%,相对标准偏差(RSD)为0.48%~9.61%,方法的检出限(LOD,S/N≥3)和定量限(LOQ,S/N≥10)分别为0.07~0.58μg/kg和0.22~1.94μg/kg。该方法快速、简便、灵敏、重复性好,可用于蔬菜中拟除虫菊酯类农药的快速筛查测定。     

An Ultra-low-power Area-efficient Non-volatile Memory in 0.18μm Single-poly CMOS Process

This paper presents an ultra-low-power area-efficient non-volatile memory (NVM) in a 0.18 μm single-poly standard CMOS process for passive radio frequency identification (RFID) tags. In the memory cell, a novel low-power operation method is proposed to realize bi-directional Fowler-Nordheim tunneling during write operation. Furthermore, the cell is designed with PMOS transistors and coupling capacitors to minimize its area. In order to improve its reliability, the cell consists of double floating gates to store the data, and the 1 kbit NVM was implemented in a 0.18 μm single-poly standard CMOS process. The area of the memory cell and 1 kbit memory array is 96 μm² and 0.12 mm², respectively. The measured results indicate that the program/erase voltage ranges from 5 to 6 V. The power consumption of the read/write operation is 0.19 μW/0.69 μW at a read/write rate of (268 kb/s)/(3.0 kb/s).     

半导体自旋电子学的研究与应用进展

自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.     

基于功率MOS线性高压放大器设计

为了实现时输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0～5V时,电路可实现0～50V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140～＋140V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义。     

静电感应晶体管的空间电荷效应

研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I-V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好.在漏压增长过程中,有两种势垒出现(沟道势垒和空间电荷势垒),它们分别对应于沟道势垒调制和空间电荷势垒调制模式.随漏压增加,SIT逐渐从沟道势垒调制模式转向空间电荷势垒调制模式,对此转变物理过程给出合理解释,直观地给出了SIT在空间电荷效应作用下的变化规律.由于SIT小电流区域的沟道势垒调制使SIT区别于其他器件,其中栅压对SIT空间电荷效应有非常重要的作用.     

一种GMOS SnO2气体微传感器的设计

采用TSMC 0.6 μm 1P3M标准CMOS工艺设计了一种检测O2浓度的SnO2气体微传感器.传感器材料是由实验分析及CMOS工艺共同确定,其多晶硅加热电阻温度系数小、功耗低,而SnO2敏感薄膜灵敏度高且稳定性良好,通过软件对器件进行热学模拟仿真并确定了传感器的结构及设计参数.芯片测试结果表明:所设计的MHP悬空结构的传感器反应速度快、抗干扰能力强、具有较高的灵敏度及稳定性,检测O2含量的浓度范围为15%～70%,满足了工艺要求.     

槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管

传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管.使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性.使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题.给出了详细的工艺流程.     

轴承盐淬贝氏体生产线热量综合回收利用的改进设计

轴承盐淬贝氏体生产线是近几年发展较快的热处理工艺装备,但在处理过程中存在热量损失较大,综合利用率不高及一定的工作环境影响等问题。在改进设计的贝氏体盐淬生产线中增设热风回收系统,将余热对工件进行清洗、干燥等。提高了热能的综合利用率,与普通盐淬贝氏体生产线相比,综合节能15%以上。     

SiCN薄膜的制备及其性能研究

利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜，并利用X射线衍射（XRD）、红外吸收谱（FTIR）和X射线光电子谱（XPS）对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析。结果表明，室温制备的SiCN薄膜为非晶状态，并形成了Si-C、Si-N和C－N键；而在高温下（衬底温度为800℃），薄膜中含有SiCN的晶体成分。此外，还利用原子力显微镜（AFM）对薄膜的表面形貌进行了研究，并进一步研究了样品的场发射性能。在场强为24V／μm时，最大发射电流可达3.3mA/cm^2。     

MEMS薄膜磁学特性的在线测试结构

为了能实时监控MEMS器件的一些重要指标,人们对器件包括热导率,断裂强度等材料的属性进行了深入研究。由于MEMS磁学特性的复杂性,对MEMS磁学特性在线测量研究得很少。本文分析了具有代表性的薄膜磁学特性测试结构的原理及优缺点,并结合MEMS在线测试的特点提出了一种比较适合MEMS在线测试的新结构。